[发明专利]用于电子电路中偏移修正的装置和相关方法

权利要求书

1.一种用于电子电路中的偏移修正的装置，所述装置包含：

第一场效应晶体管即第一FET，所述第一FET耦合在电路中，所述第一FET具有主体；

第二FET，所述第二FET耦合在所述电路中，所述第二FET具有主体，其中所述电路由于失配而具有偏移；以及

偏移修正电路，所述偏移修正电路耦合到所述第一FET的所述主体并耦合到所述第二FET的所述主体，以便为所述第一FET的所述主体提供第一偏移修正信号并为所述第二FET的所述主体提供第二偏移修正信号，其中所述偏移修正电路包含以源极跟随器配置耦合的第三FET和第四FET。

2.根据权利要求1所述的装置，其中将所述第一偏移修正应用到所述第一FET的所述主体改变所述第一FET的第一跨导。

3.根据权利要求2所述的装置，其中将所述第二偏移修正应用到所述第二FET的所述主体改变所述第二FET的第一跨导。

4.根据权利要求2所述的装置，其中所述第一FET的所述第一跨导取决于所述第一FET的所述主体和所述第一FET的栅极之间的电压。

5.根据权利要求3所述的装置，其中所述第二FET的所述第一跨导取决于所述第二FET的所述主体和所述第二FET的栅极之间的电压。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一FET包含金属氧化物半导体FET即MOSFET，并且其中所述第二FET包含MOSFET。

7.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一FET和所述第二FET以差分放大器配置耦合。

8.根据权利要求1所述的装置，其中所述偏移修正电路进一步包含耦合到所述第三FET和所述第四FET的一组开关和一组电阻器，以便向所述第一FET的所述主体提供所述第一偏移修正信号并且为所述第二FET的所述主体提供所述第二偏移修正信号。

9.一种电子装置，其包含：

第一差分放大器，所述第一差分放大器包含第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管具有主体，并且所述第二晶体管具有主体，其中所述第一晶体管的电学特性不同于所述第二晶体管的电学特性；以及

第一偏移修正电路，其包含：

第一电流源；

第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管和所述第四晶体管耦合到所述第一电流源；以及

一组开关和一组电阻器的第一网络，该组开关和该组电阻器耦合到所述第三晶体管和所述第四晶体管以便分别向所述第一晶体管的所述主体和所述第二晶体管的所述主体提供第一偏移修正信号和第二偏移修正信号。

10.根据权利要求9所述的电子装置，其中将所述第一偏移修正信号应用到所述第一晶体管的所述主体改变所述第一晶体管的主体到源极电压，并且其中将所述第二偏移修正信号应用到所述第二晶体管的所述主体改变所述第二晶体管的主体到源极电压。

11.根据权利要求9所述的电子装置，其中所述第一偏移修正电路和所述第二偏移修正电路遵循所述第一差分放大器的差分输入电压。

12.根据权利要求11所述的电子装置，其中所述第一差分放大器的差分输入电压被施加到所述第一晶体管的栅极并施加到所述第二晶体管的栅极，并且其中所述第一差分放大器的所述差分输入电压被施加到所述第三晶体管的栅极并施加到所述第四晶体管的栅极。