[发明专利]FinFET器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201611088939.3 | 申请日： | 2016-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN107026204B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 蔡俊雄;詹前泰;方子韦;陈科维;杨怀德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： |
本发明实施例公开了一种FinFET器件及其形成方法。根据一些实施例，FinFET器件包括具有至少一个鳍的衬底；横跨至少一个鳍的栅极堆叠件；位于栅极堆叠件旁边的应变层和位于应变层上方的硅化物层。应变层在从应变层的表面的0nm至5nm的深度范围内具有大于2E20原子/cm |
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| 搜索关键词： | finfet 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种FinFET器件，包括：衬底，具有至少一个鳍；栅极堆叠件，横跨所述至少一个鳍；应变层，位于所述栅极堆叠件旁边并且在从所述应变层的表面的0nm至5nm的深度范围内具有大于2E20原子/cm3的硼表面浓度；以及硅化物层，位于所述应变层上方。
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