[发明专利]FinFET器件及其形成方法

说明书

本发明实施例公开了一种FinFET器件及其形成方法。根据一些实施例，FinFET器件包括具有至少一个鳍的衬底；横跨至少一个鳍的栅极堆叠件；位于栅极堆叠件旁边的应变层和位于应变层上方的硅化物层。应变层在从应变层的表面的0nm至5nm的深度范围内具有大于2E20原子/cm³的硼表面浓度。

技术领域

本发明实施例涉及FinFET器件及其形成方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)产业经历了快速发展。IC材料和设计中的技术进步已经产生了数代的IC，其中每代IC都具有比上一代IC更小和更复杂的电路。在IC发展过程中，功能密度(即，每一芯片面积上互连器件的数量)通常已经增加而几何尺寸(即，使用制造工艺可以制造的最小的元件(或线))却已减小。通常这种按比例缩小工艺通过提高生产效率和降低相关成本而带来益处。

这种按比例缩小也增加了加工和制造IC的复杂度，并且为了实现这些进步，需要IC加工和制造中的类似发展。例如，已经引入诸如鳍式场效应晶体管(FinFET)的三维晶体管以代替平面晶体管。虽然现有的FinFET器件和形成FinFET器件的方法通常已经满足它们的预期目的，但是它们没有在所有方面都令人满意。

发明内容

根据本发明的一些实施例，提供了一种FinFET器件，包括：衬底，具有至少一个鳍；栅极堆叠件，横跨所述至少一个鳍；应变层，位于所述栅极堆叠件旁边并且在从所述应变层的表面的0nm至5nm的深度范围内具有大于2E20原子/cm³的硼表面浓度；以及硅化物层，位于所述应变层上方。

根据本发明的另一些实施例，还提供了一种形成FinFET器件的方法，包括：提供衬底，所述衬底具有形成在其上的栅极堆叠件、形成在其中的应变层和形成在所述栅极堆叠件旁边和所述应变层上方的第一介电层；形成穿过所述第一介电层的开口，所述开口暴露所述应变层；对所述应变层实施掺杂步骤以在所述应变层中形成浅掺杂区，其中，所述浅掺杂区和所述应变层具有相同的导电类型；在所述掺杂步骤之后，在所述应变层上形成硅化物层。

根据本发明的又一些实施例，还提供了一种形成FinFET器件的方法，包括：提供衬底，所述衬底具有形成在其上的栅极堆叠件、形成在其中的应变层和形成在所述栅极堆叠件旁边和所述应变层上方的第一介电层；形成穿过所述第一介电层的开口，所述开口暴露所述应变层；对所述应变层实施硼掺杂步骤，所述硼掺杂步骤引起表面非晶化；在所述硼掺杂步骤之后，在所述应变层上直接形成金属层；以及对所述衬底实施退火步骤。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本发明的实施例。应该强调的是，根据工业中的标准实践，对各个部件没有按比例绘制并且仅仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以被任意增大或缩小。

图1A至图1F是根据一些实施例的形成FinFET器件的方法的示意性截面图。

图2是根据一些实施例的形成FinFET器件的方法的流程图。

图3是根据可选实施例的形成FinFET器件的方法的流程图。

图4是根据又一些可选实施例的形成FinFET器件的方法的流程图。

具体实施方式

以下发明内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成为直接接触的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实例中重复参考标号和/或字母。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。