[发明专利]FinFET器件及其形成方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应晶体管器件，包括：

衬底，具有至少一个鳍；

栅极堆叠件，横跨所述至少一个鳍；

应变层，位于所述栅极堆叠件旁边并且在从所述应变层的表面的0nm至5nm的深度范围内具有大于2E20原子/cm³的硼表面浓度；

浅掺杂区，位于所述应变层的表面部分中；

轻掺杂区，位于所述栅极堆叠件和所述应变层之间，其中，所述浅掺杂区具有朝向所述轻掺杂区的曳尾掺杂轮廓，且所述浅掺杂区的曳尾部分与部分轻掺杂区重叠；以及

硅化物层，位于所述应变层上方。

2.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管器件，其中，通过离子注入工艺提供所述应变层的硼表面浓度。

3.根据权利要求2所述的鳍式场效应晶体管器件，其中，所述应变层的硼表面浓度介于2E20原子/cm³至1E21原子/cm³的范围内。

4.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管器件，其中，通过等离子体掺杂工艺提供所述应变层的硼表面浓度。

5.根据权利要求4所述的鳍式场效应晶体管器件，其中，所述应变层的硼表面浓度介于1E21原子/cm³至5E21原子/cm³的范围内。

6.一种形成鳍式场效应晶体管器件的方法，包括：

提供衬底，所述衬底具有形成在其上的栅极堆叠件、形成在所述栅极堆叠件旁边的轻掺杂区、形成在所述衬底中的应变层和形成在所述栅极堆叠件旁边和所述应变层上方的第一介电层，所述轻掺杂区位于所述栅极堆叠件和所述应变层之间；

形成穿过所述第一介电层的开口，所述开口暴露所述应变层；

对所述应变层实施掺杂步骤以在所述应变层中形成浅掺杂区，其中，所述浅掺杂区和所述应变层具有相同的导电类型，所述浅掺杂区具有朝向所述轻掺杂区的曳尾掺杂轮廓，且所述浅掺杂区的曳尾部分与部分轻掺杂区重叠；以及

在所述掺杂步骤之后，在所述应变层上形成硅化物层；

其中，所述方法还包括在所述掺杂步骤之前或者之后的预非晶化注入(PAI)步骤，并且使用不同的元素实施所述预非晶化注入步骤和所述掺杂步骤。

7.根据权利要求6所述的形成鳍式场效应晶体管器件的方法，其中，所述浅掺杂区是非晶区。

8.根据权利要求6所述的形成鳍式场效应晶体管器件的方法，其中，所述掺杂步骤是硼掺杂步骤或者磷掺杂步骤。

9.根据权利要求8所述的形成鳍式场效应晶体管器件的方法，其中，以1KeV至2KeV的能量和2E15原子/cm²至6E15原子/cm²的剂量实施所述硼掺杂步骤。

10.根据权利要求8所述的形成鳍式场效应晶体管器件的方法，其中，以2KeV至5KeV的能量和2E15原子/cm²至6E15原子/cm²的剂量实施所述磷掺杂步骤。

11.根据权利要求6所述的形成鳍式场效应晶体管器件的方法，其中，所述掺杂步骤是离子注入工艺。

12.根据权利要求6所述的形成鳍式场效应晶体管器件的方法，其中，所述掺杂步骤是等离子体掺杂工艺。

13.根据权利要求12所述的形成鳍式场效应晶体管器件的方法，其中，通过使用0.1％至10％的含硼气体和90％至99.9％的稀释气体来实施所述等离子体掺杂工艺。