[发明专利]一种一步法制备高纯低金属杂质五氯化钽的方法和装置有效

专利信息
申请号: 201611084954.0 申请日: 2016-11-30
公开(公告)号: CN106517328B 公开(公告)日: 2018-01-19
发明(设计)人: 沈季芳;戴长欣;任改梅;李焌源;薛海涛;李春芳 申请(专利权)人: 湖南省华京粉体材料有限公司
主分类号: C01G35/02 分类号: C01G35/02
代理公司: 中南大学专利中心43200 代理人: 胡燕瑜
地址: 410323 湖南省*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种一步法制备高纯低金属杂质五氯化钽的方法和装置,以钽、氯气为原料,摩尔比200(500~800);反应前氯化炉内通入氢气,摩尔比为钽源氢气=200(200~300),通入时间为30~150min;然后用惰性气体置换氢气,并达到预设温度,通入氯气反应3~16小时,氯化炉温度在300~600℃。氯化炉连接收料塔,氯气/氢气/惰性气体从氯化炉低端通入,收料塔顶侧面有真空泵。收料塔体积是氯化炉的1~5倍,采用风冷加水冷复合冷却系统,五氯化钽从收料塔底部收集,制取的五氯化钽晶体金属杂质在3ppm以下。本发明流程短,设备简单,节能环保,无须精馏环节,可制取高纯低金属杂质的五氯化钽晶体。
搜索关键词: 一种 一步法 制备 高纯 金属 杂质 氯化 方法 装置
【主权项】:
一种一步法制备高纯低金属杂质五氯化钽的方法,其特征在于包括以下过程:(1)氯化体系的保护:反应体系内先抽真空,真空度为0.01~0.03Mpa,然后通入惰性气体填充;加入惰性气体的纯度大于等于99.9%;(2)钽源的氢化处理:通入氢气置换惰性气体,氢气置换时间为30~150min,温度控制在200~500℃,钽源和氢气的摩尔比200:(200~300);加入氢气的纯度大于等于99.9%;所述的钽源包括钽粉、钽屑、钽块和钽棒中的一种或几种;(3)体系惰性气体再置换;(4)钽源与氯气的氯化反应:将钽源放在,通入氯气,钽源与氯气的反应摩尔比为:200:(500~800),反应时间为3~16小时,温度控制在300~600℃;加入氯气的纯度大于等于99.9%;(5)冷却收集高纯低金属杂质五氯化钽,所用收集系统包含双重冷系统,分别为顶部1/3处的风冷系统和中部2/3处的水冷系统,尾气由尾气收集装置收集。
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