[发明专利]薄膜晶体管基板、显示器及其制造方法有效
申请号: | 201611071221.3 | 申请日: | 2016-11-28 |
公开(公告)号: | CN106803510B | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 文庆周;卢韶颖;申铉秀;金元炅 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 薄膜晶体管基板、显示器及其制造方法。本公开涉及一种在同一基板上具有两种不同类型的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板以及使用该基板的显示器。本公开提出一种薄膜晶体管基板,包括:第一薄膜晶体管,其被设置为包括多晶半导体层、在多晶半导体层上的第一栅极、第一源极和第一漏极;第一栅极绝缘层,其在多晶半导体层和第一栅极之间;第二薄膜晶体管,其被设置为包括在第一栅极上的氧化物半导体层、在氧化物半导体层上的第二栅极、第二源极和第二漏极;中间绝缘层,其被设置在第一栅极上氧化物半导体层下面;以及第二栅极绝缘层,其在中间绝缘层上第一源极、第一漏极和第二栅极下面。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 显示器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管基板,该薄膜晶体管基板包括:第一薄膜晶体管,该第一薄膜晶体管被设置为包括多晶半导体层、在所述多晶半导体层上的第一栅极、第一源极和第一漏极;第一栅极绝缘层,该第一栅极绝缘层在所述多晶半导体层和所述第一栅极之间;第二薄膜晶体管,该第二薄膜晶体管被设置为包括在所述第一栅极上的氧化物半导体层、在所述氧化物半导体层上的第二栅极、第二源极和第二漏极;中间绝缘层,该中间绝缘层被设置在所述第一栅极上且在所述氧化物半导体层下面;以及第二栅极绝缘层,该第二栅极绝缘层在所述中间绝缘层上且在所述第一源极、所述第一漏极和所述第二栅极下面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的