[发明专利]薄膜晶体管基板、显示器及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板包括：

第一薄膜晶体管，该第一薄膜晶体管被设置为包括多晶半导体层、在所述多晶半导体层上的第一栅极、第一源极和第一漏极；

第一栅极绝缘层，该第一栅极绝缘层在所述多晶半导体层和所述第一栅极之间；

第二薄膜晶体管，该第二薄膜晶体管被设置为包括在所述第一栅极上的氧化物半导体层、在所述氧化物半导体层上的第二栅极、第二源极和第二漏极；

中间绝缘层，该中间绝缘层被设置在所述第一栅极上且在所述氧化物半导体层下面；以及

第二栅极绝缘层，该第二栅极绝缘层在所述第一薄膜晶体管的区域中位于所述第一源极和所述中间绝缘层之间以及所述第一漏极和所述中间绝缘层之间并且在所述第二薄膜晶体管的区域中位于所述氧化物半导体层和所述第二栅极之间，以使得所述第一源极、所述第一漏极和所述第二栅极形成在同一层上，

其中，在所述第二薄膜晶体管的区域中，所述第二栅极与所述第二栅极下面的所述第二栅极绝缘层具有相同的形状，并且在所述第一薄膜晶体管的区域中，所述第一源极和所述第一漏极与分别设置在所述第一源极和所述第一漏极下面的所述第二栅极绝缘层具有相同的圆周形状。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第一源极通过穿透所述第二栅极绝缘层、所述中间绝缘层和所述第一栅极绝缘层的第一源极接触孔接触所述多晶半导体层；

其中，所述第一漏极通过穿透所述第二栅极绝缘层、所述中间绝缘层和所述第一栅极绝缘层的第一漏极接触孔接触所述多晶半导体层；并且

其中，所述第二栅极与所述氧化物半导体层的中间部分交叠。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述中间绝缘层包括：

氮化物层；以及

在所述氮化物层上的氧化物层。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板还包括：

第一遮光层，该第一遮光层在所述多晶半导体层下面；以及

第二遮光层，该第二遮光层与所述第一栅极由相同的材料形成在同一层，并且被设置在所述氧化物半导体层下面。

5.一种显示器，该显示器包括：

根据权利要求1至4中的任一项所述的薄膜晶体管基板。

6.一种制造薄膜晶体管基板的方法，该方法包括以下步骤：

形成第一薄膜晶体管，该第一薄膜晶体管包括多晶半导体层、在所述多晶半导体层上的第一栅极、第一源极和第一漏极；

在所述多晶半导体层和所述第一栅极之间形成第一栅极绝缘层；

形成第二薄膜晶体管，该第二薄膜晶体管包括在所述第一栅极上的氧化物半导体层、在所述氧化物半导体层上的第二栅极、第二源极和第二漏极；

在所述第一栅极上且在所述氧化物半导体层下面形成中间绝缘层；以及

形成第二栅极绝缘层，该第二栅极绝缘层在所述第一薄膜晶体管的区域中位于所述第一源极和所述中间绝缘层之间以及所述第一漏极和所述中间绝缘层之间并且在所述第二薄膜晶体管的区域中位于所述氧化物半导体层和所述第二栅极之间，以使得所述第一源极、所述第一漏极和所述第二栅极形成在同一层上，

其中，在所述第二薄膜晶体管的区域中，所述第二栅极与所述第二栅极下面的所述第二栅极绝缘层具有相同的形状，并且

其中，在所述第一薄膜晶体管的区域中，所述第一源极和所述第一漏极与分别设置在所述第一源极和所述第一漏极下面的所述第二栅极绝缘层具有相同的圆周形状。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一源极被形成为通过穿透所述第二栅极绝缘层、所述中间绝缘层和所述第一栅极绝缘层的第一源极接触孔接触所述多晶半导体层；

其中，所述第一漏极被形成为通过穿透所述第二栅极绝缘层、所述中间绝缘层和所述第一栅极绝缘层的第一漏极接触孔接触所述多晶半导体层；并且

其中，所述第二栅极被形成为与所述氧化物半导体层的中间部分交叠。