[发明专利]薄膜晶体管基板、显示器及其制造方法有效
申请号: | 201611071221.3 | 申请日: | 2016-11-28 |
公开(公告)号: | CN106803510B | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 文庆周;卢韶颖;申铉秀;金元炅 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 显示器 及其 制造 方法 | ||
薄膜晶体管基板、显示器及其制造方法。本公开涉及一种在同一基板上具有两种不同类型的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板以及使用该基板的显示器。本公开提出一种薄膜晶体管基板,包括:第一薄膜晶体管,其被设置为包括多晶半导体层、在多晶半导体层上的第一栅极、第一源极和第一漏极;第一栅极绝缘层,其在多晶半导体层和第一栅极之间;第二薄膜晶体管,其被设置为包括在第一栅极上的氧化物半导体层、在氧化物半导体层上的第二栅极、第二源极和第二漏极;中间绝缘层,其被设置在第一栅极上氧化物半导体层下面;以及第二栅极绝缘层,其在中间绝缘层上第一源极、第一漏极和第二栅极下面。
技术领域
本公开涉及一种在同一基板上具有两种不同类型的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板及其制造方法。
背景技术
如今,随着信息社会发展,表现信息的显示器的需求不断增加。因此,开发了各种平板显示器(或“FPD”)以用于克服阴极射线管(或“CRT”)的许多缺点,例如沉重和体积大。平板显示装置包括液晶显示装置(或“LCD”)、等离子体显示面板(或“PDP”)、有机发光显示装置(或“OLED”)和电泳显示装置(或“ED”)。
平板显示器的显示面板可包括薄膜晶体管基板,该薄膜晶体管基板具有在按照矩阵方式排列的各个像素区域中分配的薄膜晶体管。例如,液晶显示装置(或“LCD”)通过利用电场控制液晶层的光传递性来表现视频数据。对于有机发光二极管显示器通过在按照矩阵方式设置的形成有有机发光二极管的各个像素处生成恰当可控的光来表现视频数据。
作为自发射显示装置,有机发光二极管显示装置具有响应速度非常快、亮度非常高并且视角大的那些优点。使用具有良好能效的有机发光二极管的有机发光二极管显示器(或OLED)可分类为无源矩阵型有机发光二极管显示器(或PMOLED)和有源矩阵型有机发光二极管显示器(或AMOLED)。
随着个人用品越来越流行,积极开发了便携式和/或可穿戴装置。为了将显示装置应用于便携式和/或可穿戴装置,所述装置具有低功耗的特性。然而,使用迄今为止开发的技术,在获得具有优异低功耗性质的显示器方面具有局限性。
发明内容
为了克服上述缺点,本公开的目的在于提出一种用于在同一基板上具有特性彼此不同的至少两种晶体管的平板显示器的薄膜晶体管基板以及使用该基板的显示器。本公开的另一目的在于提出一种通过优化的工艺和最少数量的掩模工艺来制造用于具有两种不同类型的晶体管的平板显示器的薄膜晶体管基板的方法以及通过该方法制造的薄膜晶体管基板和使用该基板的显示器。
为了实现上述目的,本公开提出一种薄膜晶体管基板,包括:第一薄膜晶体管,其被设置为包括多晶半导体层、在所述多晶半导体层上的第一栅极、第一源极和第一漏极;第一栅极绝缘层,其在所述多晶半导体层和所述第一栅极之间;第二薄膜晶体管,其被设置为包括在所述第一栅极上的氧化物半导体层、在所述氧化物半导体层上的第二栅极、第二源极和第二漏极;中间绝缘层,其被设置在所述第一栅极且在上所述氧化物半导体层下面;以及第二栅极绝缘层,其在所述中间绝缘层上且在所述第一源极、所述第一漏极和所述第二栅极下面。
在一个实施方式中,所述第一源极通过穿透所述第二栅极绝缘层、所述中间绝缘层和所述第一栅极绝缘层的第一源极接触孔接触所述多晶半导体层;所述第一漏极通过穿透所述第二栅极绝缘层、所述中间绝缘层和所述第一栅极绝缘层的第一漏极接触孔接触所述多晶半导体层;并且其中,所述第二栅极与所述氧化物半导体层的中间部分交叠,所述第二栅极绝缘层被夹在它们之间。
在一个实施方式中,所述第二栅极绝缘层包括:第一部分,其与所述第一源极具有相同的形状;第二部分,其与所述第一漏极具有相同的形状;以及第三部分,其与所述第二栅极具有相同的形状。
在一个实施方式中,所述中间绝缘层包括氮化物层以及在所述氮化物层上的氧化物层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乐金显示有限公司,未经乐金显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611071221.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有划线区域结构的三维半导体装置
- 下一篇:OLED显示面板
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的