[发明专利]互连结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种互连结构及其制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供衬底结构，其包括衬底和在衬底上的第一电介质层，第一电介质层具有延伸到衬底的用于第一互连层的开口；在第一电介质层远离开口的区域之上形成第一掩模层；沉积第一金属层以填充开口，并覆盖第一电介质层未被第一掩模层覆盖的区域；其中，第一金属层与第一掩模层邻接的部分作为第二互连层的下部；去除第一掩模层；形成第二电介质层，以覆盖第一金属层和第一电介质层暴露的部分，所述第二电介质层具有用于第二互连层的沟槽，沟槽使得第二互连层的下部露出；在沟槽中填充第二金属层，从而形成第二互连层的上部。本发明能减小互连结构中的应力。

主权项

一种互连结构的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括衬底和在所述衬底上的第一电介质层，所述第一电介质层具有延伸到所述衬底的用于第一互连层的开口；在所述第一电介质层远离所述开口的区域之上形成第一掩模层；沉积第一金属层以填充所述开口，并覆盖所述第一电介质层未被所述第一掩模层覆盖的区域；其中，所述第一金属层与所述第一掩模层邻接的部分作为第二互连层的下部；去除所述第一掩模层；形成第二电介质层，以覆盖所述第一金属层和所述第一电介质层暴露的部分，所述第二电介质层具有用于第二互连层的沟槽，所述沟槽使得所述第二互连层的下部露出；在所述沟槽中填充第二金属层，从而形成第二互连层的上部。