[发明专利]互连结构及其制造方法

权利要求书

1.一种互连结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底结构，所述衬底结构包括衬底和在所述衬底上的第一电介质层，所述第一电介质层具有延伸到所述衬底的用于第一互连层的开口；

在所述第一电介质层远离所述开口的区域之上形成第一掩模层；

沉积第一金属层以填充所述开口，并覆盖所述第一电介质层未被所述第一掩模层覆盖的区域；其中，所述第一金属层与所述第一掩模层邻接的部分作为第二互连层的下部；

去除所述第一掩模层；

形成第二电介质层，以覆盖所述第一金属层和所述第一电介质层暴露的部分，所述第二电介质层具有用于第二互连层的沟槽，所述沟槽使得所述第二互连层的下部露出；

在所述沟槽中填充第二金属层，从而形成第二互连层的上部。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述沟槽中填充第二金属层包括：

在剩余的第二电介质层的至少一部分之上形成第二掩模层；

沉积第二金属层，以填充所述沟槽；

去除所述第二掩模层；

执行平坦化工艺，以使得剩余的第二金属层的上表面与所述第二电介质层的上表面基本齐平。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述沟槽中填充第二金属层包括：

沉积第二金属层，以填充所述沟槽并覆盖剩余的第二电介质层；

执行平坦化工艺，以使得剩余的第二金属层的上表面与所述第二电介质层的上表面基本齐平。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一电介质层远离所述开口的区域之上形成第一掩模层之前，还包括：

在所述衬底结构上形成第一阻挡层，所述第一掩模层形成在所述第一阻挡层之上；

在去除所述第一掩模层之后，还包括：

去除暴露的所述第一阻挡层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述第一电介质层远离所述开口的区域之上形成第一掩模层之前，还包括：

在所述第一阻挡层上形成第一籽晶层，所述第一掩模层形成在所述第一籽晶层上；

在去除所述第一掩模层之后，还包括：

去除暴露的所述第一籽晶层。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在剩余的第二电介质层的至少一部分之上形成第二掩模层之前，还包括：

在所述剩余的第二电介质层、所述沟槽的底部和侧壁上形成第二阻挡层，所述第二掩模层形成在所述第二阻挡层之上。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在剩余的第二电介质层的至少一部分之上形成第二掩模层之前，还包括：

在所述第二阻挡层上形成第二籽晶层，所述第二掩模层形成在所述第二籽晶层上。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过电镀的方式沉积所述第一金属层以及通过电镀的方式在所述沟槽中填充第二金属层。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层包括铜。

10.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一掩模层和所述第二掩模层包括光刻胶。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述开口包括延伸到所述第一电介质层中的沟槽和位于该沟槽下的至少一个通孔。