[发明专利]高压LDMOS晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201611047190.8 | 申请日： | 2016-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN106876462B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 霍克孝;郑光茗;周建志;陈益民;朱振梁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件。半导体器件包括衬底、栅极、第一掺杂区和第二掺杂区。栅极在衬底上方。第一掺杂区和第二掺杂区在衬底中。第一掺杂区和第二掺杂区具有相同的导电类型且被栅极隔开。在基本垂直于限定在第一掺杂区和第二掺杂区之间的沟道长度L的方向上，第一掺杂区的长度将大于第二掺杂区的长度。本发明实施例涉及高压LDMOS晶体管及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 ldmos 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；栅极，位于所述衬底上方；第一掺杂区和第二掺杂区，位于所述衬底中，其中，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区具有相同的导电类型并且被所述栅极隔开；其中，在垂直于限定在所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间的沟道长度的方向上，所述第一掺杂区的长度大于所述第二掺杂区的长度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611047190.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：探漏装置及电池管理系统
- 下一篇：一种振动台的台面夹具
- 同类专利
- 专利分类
