[发明专利]高压LDMOS晶体管及其制造方法

说明书

本发明提供了一种半导体器件。半导体器件包括衬底、栅极、第一掺杂区和第二掺杂区。栅极在衬底上方。第一掺杂区和第二掺杂区在衬底中。第一掺杂区和第二掺杂区具有相同的导电类型且被栅极隔开。在基本垂直于限定在第一掺杂区和第二掺杂区之间的沟道长度L的方向上，第一掺杂区的长度将大于第二掺杂区的长度。本发明实施例涉及高压LDMOS晶体管及其制造方法。

技术领域

本发明实施例涉及高压LDMOS晶体管及其制造方法。

背景技术

高压MOS晶体管是在高压电极电压的情况下进行操作的半导体器件。包括高压MOS晶体管的高压集成电路(IC)广泛用于汽车工业、显示驱动、便携式无线电通讯器件、医疗设备和其他领域的应用中。作为实例，将高压(例如，大于200伏)MOS晶体管集成到栅极驱动IC中以将显示信号传输到液晶显示屏(LCD)面板。然而，随着在先进技术中的连续的工艺缩小，也降低了这些高压MOS晶体管的击穿电压。此外，为了增大高压MOS晶体管的饱和电流，导通电阻将被降低，从而，也将降低这些高压MOS晶体管的击穿电压。期望增大高压MOS晶体管的饱和电流而不降低这些高压MOS晶体管的击穿电压

发明内容

根据本发明的一个实施例，提供了一种半导体器件，包括：衬底；栅极，位于所述衬底上方；第一掺杂区和第二掺杂区，位于所述衬底中，其中，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区具有相同的导电类型并且被所述栅极隔开；其中，在垂直于限定在所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间的沟道长度的方向上，所述第一掺杂区的长度大于所述第二掺杂区的长度。

根据本发明的另一实施例，还提供了一种高压金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：衬底；栅极，位于所述衬底上方；第一掺杂区和第二掺杂区，位于所述衬底中，其中，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区具有相同的导电类型并且被所述栅极隔开；其中，所述栅极包括沿着所述第二掺杂区的在平行于限定在所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间的沟道长度的方向上的边缘延伸的延伸部。

根据本发明的又一实施例，还提供了一种制造高压金属氧化物半导体场效应晶体管的方法，所述方法包括：形成衬底；在所述衬底上形成栅极；在所述衬底中形成第一掺杂区；以及在所述衬底中形成第二掺杂区，其中，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区具有相同的导电类型并且被所述栅极隔开；其中，在垂直于限定在所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间的沟道长度的方向上，所述第一掺杂区的长度大于所述第二掺杂区的长度。

附图说明

结合附图和以下描述来阐述本发明的一个或多个实施例的细节。本发明的其他特征和优势将从说明书、附图和权利要求变得显而易见。

图1A是根据一些实施例的高压LDMOS晶体管的顶视图。

图1B是根据一些实施例的图1A的高压LDMOS晶体管的截面图。

图2A是根据一些实施例的高压LDMOS晶体管的顶视图。

图2B是根据一些实施例的图1A的高压LDMOS晶体管的截面图。

图3是根据一些实施例的高压LDMOS晶体管的顶视图。

图4A到图4D示出了根据一些实施例的制造高压LDMOS晶体管的工艺。

在各个图中相同的参考标号用于代表相同的元件。

具体实施方式

下面，详细讨论本发明各实施例的制造和使用。然而，应该理解，实施例提供了许多可以在各种具体环境中实现的可应用的发明概念。所讨论的具体实施例仅仅示出了制造和使用本发明的具体方式，而不用于限制本发明的范围。