[发明专利]多位点检测区、微电极阵列及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201611024906.2 申请日: 2016-11-14
公开(公告)号: CN106645346B 公开(公告)日: 2019-12-03
发明(设计)人: 王力;蔡新霞;罗金平;宋轶琳;徐辉任;王杨 申请(专利权)人: 中国科学院电子学研究所
主分类号: G01N27/327 分类号: G01N27/327
代理公司: 11021 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 任岩<国际申请>=<国际公布>=<进入国
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种多位点检测区、微电极阵列及其制备方法,用于多活性位点神经递质的检测,该多位点检测区包括:检测电极本体;以及纳米复合薄膜层,设置在所述检测电极本体上,采用该多位点检测区的平面微电极阵列提高了递质电催化能力,降低了电极阻抗、热噪声等。
搜索关键词: 多位点检测 微电极阵列 检测电极 纳米复合薄膜 电极阻抗 活性位点 神经递质 电催化 热噪声 递质 制备 检测
【主权项】:
1.一种多位点检测区组,包括多个用于多活性位点神经递质检测的多位点检测区(4),其特征在于,所述多位点检测区(4)包括:/n检测电极本体;以及/n纳米复合薄膜层(6),设置在所述检测电极本体上,/n其中,所述检测电极本体包括:/n一圆形微电极(41),直径10μm;/n多个弧形微电极(42),围绕所述圆形微电极(41)排列,/n所述多位点检测区(4)为14个,呈三排,左右对称分布;/n所述纳米复合薄膜层(6)设置在所述圆形微电极(41)和所述多个弧形微电极(42)上。/n
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