[发明专利]半导体封装及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201611022516.1 申请日: 2016-11-16
公开(公告)号: CN107785325A 公开(公告)日: 2018-03-09
发明(设计)人: 沈更新;凃清镇;吴自胜;林俊辰;叶惠雯 申请(专利权)人: 南茂科技股份有限公司
主分类号: H01L23/00 分类号: H01L23/00;H01L23/31;H01L21/56
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 代理人: 马雯雯,臧建明
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明提供一种半导体封装及其制造方法,其中半导体封装,包括第一、第二芯片、多个第一、第二导电凸块及底胶。第一芯片包括一第一主动面,其中第一主动面包括一芯片接合区、多个位于芯片接合区内的第一内接点以及多个位于芯片接合区外的第一外接点。第二芯片倒装于第一芯片的芯片接合区处。第一导电凸块配置于第一外接点上。第二导电凸块位于第一芯片的第一内接点与第二芯片的第二接点之间。底胶位在第一主动面上且包覆第二导电凸块、至少局部的各第二芯片侧面及至少局部的各第一导电凸块。本发明还提供多种半导体封装的制造方法。本发明提供的半导体封装,具有较低的破裂率。
搜索关键词: 半导体 封装 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体封装,其特征在于,包括:第一芯片,包括第一主动面,其中所述第一主动面包括芯片接合区、多个位于所述芯片接合区内的第一内接点以及多个位于所述芯片接合区外的第一外接点;第二芯片,倒装于所述第一芯片的所述芯片接合区处,且包括第二主动面及连接于所述第二主动面的多个第二芯片侧面,其中所述第二主动面包括多个第二接点;多个第一导电凸块,配置于所述多个第一外接点上;多个第二导电凸块,位于所述多个第一内接点与所述多个第二接点之间,各所述第一内接点分别通过对应的所述第二导电凸块与对应的所述第二接点电性连接;以及底填胶,位在所述第一主动面上且包覆所述多个第二导电凸块、至少局部的各所述第二芯片侧面及至少局部的各所述第一导电凸块。
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