[发明专利]半导体封装及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201611022516.1 申请日: 2016-11-16
公开(公告)号: CN107785325A 公开(公告)日: 2018-03-09
发明(设计)人: 沈更新;凃清镇;吴自胜;林俊辰;叶惠雯 申请(专利权)人: 南茂科技股份有限公司
主分类号: H01L23/00 分类号: H01L23/00;H01L23/31;H01L21/56
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 代理人: 马雯雯,臧建明
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体封装,其特征在于,包括:

第一芯片,包括第一主动面,其中所述第一主动面包括芯片接合区、多个位于所述芯片接合区内的第一内接点以及多个位于所述芯片接合区外的第一外接点;

第二芯片,倒装于所述第一芯片的所述芯片接合区处,且包括第二主动面及连接于所述第二主动面的多个第二芯片侧面,其中所述第二主动面包括多个第二接点;

多个第一导电凸块,配置于所述多个第一外接点上;

多个第二导电凸块,位于所述多个第一内接点与所述多个第二接点之间,各所述第一内接点分别通过对应的所述第二导电凸块与对应的所述第二接点电性连接;以及

底填胶,位在所述第一主动面上且包覆所述多个第二导电凸块、至少局部的各所述第二芯片侧面及至少局部的各所述第一导电凸块。

2.根据权利要求1所述的半导体封装,其特征在于,所述底填胶包括封模底胶,所述封模底胶包覆全部的所述多个第二芯片侧面。

3.根据权利要求2所述的半导体封装,其特征在于,所述第二芯片还包括相对于所述第二主动面的晶背,所述晶背被所述封模底胶覆盖,或者所述晶背外露于所述封模底胶。

4.根据权利要求2所述的半导体封装,其特征在于,还包括:

多个焊件,所述多个第一导电凸块外露于所述封模底胶,所述多个焊件配置于所述封模底胶上且连接于所述多个第一导电凸块,其中各所述焊件包括焊球、焊帽或焊层。

5.根据权利要求4所述的半导体封装,其特征在于,所述多个第一导电凸块的高度大于或等于所述第二芯片的所述晶背至所述第一内接点之间的距离。

6.根据权利要求2所述的半导体封装,其特征在于,还包括:

多个焊球,配置于所述多个第一导电凸块上,各所述第一导电凸块为球底金属层,所述封模底胶包覆局部的各所述焊球:以及

保护层,配置于所述第一芯片的所述第一主动面上,所述保护层包括至少对应于所述芯片接合区的开口,且所述多个第一内接点与所述多个第一外接点外露于所述保护层。

7.根据权利要求6所述的半导体封装,其特征在于,所述第二芯片还包括相对于所述第二主动面的晶背,所述第二芯片的所述晶背至所述第一内接点之间的距离大于各所述第一导电凸块的高度,且各所述第一导电凸块的高度大于各所述第二导电凸块的高度。

8.根据权利要求6所述的半导体封装,其特征在于,各所述焊球凸出于所述封模底胶的高度为所述焊球的高度的0.5倍至0.8倍之间。

9.根据权利要求2所述的半导体封装,其特征在于,还包括:

保护层,配置于所述第一芯片的所述第一主动面上,所述多个第一内接点与所述多个第一外接点外露于所述保护层,所述保护层包括对应于所述芯片接合区的开口,所述底填胶包括内底胶,所述内底胶位在所述第一芯片的所述芯片接合区与所述第二芯片之间,所述封模底胶包覆所述内底胶。

10.根据权利要求1所述的半导体封装,其特征在于,还包括:

保护层,配置于所述第一芯片的所述第一主动面上的所述多个第一外接点所环绕的虚拟范围以外的区域,所述底胶包覆所述第二芯片的局部的各所述第二芯片侧面及局部的所述多个第一导电凸块,各所述第一导电凸块为焊球。

11.一种半导体封装的制造方法,其特征在于,包括:

提供晶圆,包括阵列排列的多个第一芯片,其中各所述第一芯片包括第一主动面,所述第一主动面包括芯片接合区、多个位于所述芯片接合区内的第一内接点以及多个位于所述芯片接合区外的第一外接点;

配置多个第一导电凸块于所述多个第一外接点上;

倒装多个第二芯片于所述多个第一芯片的所述多个芯片接合区,其中各所述第二芯片包括第二主动面及连接于所述第二主动面的多个第二芯片侧面,各所述第二主动面包括多个第二接点,各所述第二主动面面对所述第一主动面且所述多个第二接点电性连接于所述多个第一内接点;

进行一模制底胶工艺,以在所述第一主动面上形成封模底胶,其中所述封模底胶包覆所述多个第一导电凸块及所述多个第二芯片;

对所述封模底胶进行研磨工艺,而使所述多个第一导电凸块外露;

配置多个焊件于所述多个第一导电凸块上以形成多个半导体封装;以及

进行切割工艺,以使所述多个半导体封装彼此分离。

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