[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201611018338.5 | 申请日： | 2016-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN107689353A | 公开（公告）日： | 2018-02-13 |
| 发明（设计）人： | 林柏均 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 冯志云,王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括一基板，包括一第一表面及一第二表面，该第二表面与该第一表面相对；一接垫，设置在该第一表面上方；一第一保护件，设置在该第一表面上方且部分覆盖该接垫；以及一重布线层(redistribution layer，RDL)，设置在该第一保护件上方，且包括一导线及一第二保护件，该导线延伸在该第一保护件上方，该第二保护件部分覆盖该导线；其中该导线包括一插塞部以及一焊座部，该插塞部与该接垫耦合且在该第一保护件内朝该接垫延伸，该焊座部延伸在该第一保护件上方，该焊座部包括多个第一凸出部，向远离第一保护件的方向凸出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包含：一基板，包括一第一表面及一第二表面，该第二表面与该第一表面相对；一接垫，设置在该第一表面上方；一第一保护件，设置在该第一表面上方且部分覆盖该接垫；以及一重布线层，设置在该第一保护件上方，且包括一导线及一第二保护件，该导线延伸在该第一保护件上方，该第二保护件部分覆盖该导线；其中该导线包括一插塞部以及一焊座部，该插塞部与该接垫耦合且在该第一保护件内朝该接垫延伸，该焊座部延伸在该第一保护件上方，该焊座部包括多个第一凸出部，向远离该第一保护件的方向凸出。
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