[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
申请号: | 201611018338.5 | 申请日: | 2016-11-14 |
公开(公告)号: | CN107689353A | 公开(公告)日: | 2018-02-13 |
发明(设计)人: | 林柏均 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/488;H01L21/60 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 冯志云,王芝艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体结构,包含:
一基板,包括一第一表面及一第二表面,该第二表面与该第一表面相对;
一接垫,设置在该第一表面上方;
一第一保护件,设置在该第一表面上方且部分覆盖该接垫;以及
一重布线层,设置在该第一保护件上方,且包括一导线及一第二保护件,该导线延伸在该第一保护件上方,该第二保护件部分覆盖该导线;
其中该导线包括一插塞部以及一焊座部,该插塞部与该接垫耦合且在该第一保护件内朝该接垫延伸,该焊座部延伸在该第一保护件上方,该焊座部包括多个第一凸出部,向远离该第一保护件的方向凸出。
2.如权利要求1所述的半导体结构,其中该第二保护件暴露所述多个第一凸出部。
3.如权利要求1所述的半导体结构,进一步包含一导电元件,设置在该基板与该导线的该焊座部之间。
4.如权利要求1所述的半导体结构,其中该焊座部包括多个第二凸出部,朝该基板凸出且被该第一保护件环绕。
5.如权利要求4所述的半导体结构,其中所述多个第一凸出部设置在所述多个第二凸出部上方。
6.如权利要求4所述的半导体结构,其中所述多个第一凸出部分别垂直对准所述多个第二凸出部。
7.如权利要求4所述的半导体结构,其中所述多个第一凸出部分别插置在所述多个第二凸出部之间。
8.如权利要求1所述的半导体结构,进一步包含一连接件,设置在该焊座部上方。
9.如权利要求8所述的半导体结构,其中该连接件与所述多个第一凸出部交界。
10.如权利要求8所述的半导体结构,其中所述多个第一凸出部凸伸至该连接件中。
11.如权利要求1所述的半导体结构,其中所述多个第一凸出部被该第二保护件环绕。
12.一种半导体结构的制造方法,包含:
提供一基板;
设置一接垫在该基板上方;
设置一第一保护件在该基板上方,以部分覆盖该接垫;
设置一导电材料在该第一保护件及该接垫上方,以形成一电连接至该接垫的导线;
设置一第二保护件在该第一保护件上方,以部分覆盖该导线;以及
形成多个第一凸出部在该该第二保护件暴露出的导线上方。
13.如权利要求12所述的制造方法,其中所述多个第一凸出部通过蚀刻、激光剥蚀、钻孔或电镀工艺形成。
14.如权利要求12所述的制造方法,进一步包含:
设置一图案化掩模在该导线上方,该图案化掩模包括多个开口;
设置该导电材料在所述多个开口内,以形成所述多个第一凸出部;以及
移除该图案化掩模。
15.如权利要求12所述的制造方法,进一步包含:
设置一图案化掩模在该第一保护件上方,该图案化掩模包括多个开口;
部分移除该图案化掩模暴露出的该第一保护件,以形成多个凹槽在该第一保护件上方;
移除该图案化掩模;以及
设置该导电材料在所述多个凹槽内,以形成多个从该导线朝该基板凸出的第二凸出部。
16.如权利要求12所述的制造方法,进一步包含设置一连接件在该第二保护件暴露出且环绕所述多个第一凸出部的导线上方。
17.如权利要求12所述的制造方法,其中该导电材料通过电镀或溅镀工艺形成。
18.如权利要求12所述的制造方法,进一步包含设置一导电件在该基板上方。
19.一种半导体结构,包含:
一基板,包括一导电通路;
一第一保护件,设置在该基板上方且暴露该导电通路的一部分;
一导线,设置在该第一保护件上方且电连接至该导电通路;以及
一第二保护件,设置在该导线上方且暴露该导线的一部分;
其中该第二保护件暴露出的该导线的该部分包括多个第一凸出部,所述多个第一凸出部向远离该第一保护件的方向凸出。
20.如权利要求19所述的半导体结构,其中该导线包括多个第二凸出部,所述多个第二凸出部向该基板凸出且被该第一保护件环绕。
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