[发明专利]一种直流加热法制备连续钨芯SiC纤维的短流程一体化装置和方法有效
申请号: | 201611004480.4 | 申请日: | 2016-11-15 |
公开(公告)号: | CN106756873B | 公开(公告)日: | 2019-01-25 |
发明(设计)人: | 王玉敏;杨青;张国兴;张旭;杨丽娜;杨锐 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | C23C16/32 | 分类号: | C23C16/32;C23C16/54;C23C16/455;D06M11/79;D06M11/74 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 许宗富;周秀梅 |
地址: | 110016 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明公开了一种直流加热法制备连续钨芯SiC纤维的短流程一体化装置和方法,属于SiC纤维制备技术领域。首先将钨丝穿过特定设计的一体化反应器,反应器主要分为三段,前端为钨丝清洗端段,中间为SiC沉积段,尾端为涂层沉积段。采用直流电源对钨丝进行加热,通过调控各段通入的反应气体流量、流速和配比等,可获得适于SiC沉积稳定生长的浓度场和温度场分布,保证了SiC纤维的细小晶粒组织,从而制备出高性能的SiC纤维。该方法的优点是集钨丝清洗、SiC沉积和涂层制备于一体,可大幅度节约空间、缩短流程、提高生产效率并降低成本。 | ||
搜索关键词: | 钨丝 沉积 一体化装置 直流加热 短流程 钨芯 清洗 反应气体流量 一体化反应器 制备技术领域 温度场分布 节约空间 生产效率 涂层沉积 涂层制备 细小晶粒 直流电源 反应器 浓度场 端段 配比 三段 尾端 制备 加热 穿过 生长 调控 保证 | ||
【主权项】:
1.一种直流加热法制备连续钨芯SiC纤维的短流程一体化装置,其特征在于:该装置包括依次连接的放丝装置、一体化反应器和收丝装置;其中:所述一体化反应器分为三段,由上至下依次为钨丝清洗段、SiC沉积段和涂层沉积段;所述钨丝清洗段、SiC沉积段和涂层沉积段都为石英玻璃管,所述涂层沉积段用于沉积碳层;其中:钨丝清洗段石英玻璃管的直径为18~25mm,长度为300~500mm;SiC沉积段石英玻璃管的直径为25~30mm,长度为1500~1800mm;涂层沉积段石英玻璃管的直径为18~25mm,长度为200~400mm;所述SiC沉积段的上部和中部分别设置进气口;所述SiC沉积段的下部设有排气口;所述钨丝清洗段的上部和涂层沉积段的中部分别设置进气口;所有进气口上都设有调流阀,用于调节进气的流量。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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