[发明专利]一种直流加热法制备连续钨芯SiC纤维的短流程一体化装置和方法有效
申请号: | 201611004480.4 | 申请日: | 2016-11-15 |
公开(公告)号: | CN106756873B | 公开(公告)日: | 2019-01-25 |
发明(设计)人: | 王玉敏;杨青;张国兴;张旭;杨丽娜;杨锐 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | C23C16/32 | 分类号: | C23C16/32;C23C16/54;C23C16/455;D06M11/79;D06M11/74 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 许宗富;周秀梅 |
地址: | 110016 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 钨丝 沉积 一体化装置 直流加热 短流程 钨芯 清洗 反应气体流量 一体化反应器 制备技术领域 温度场分布 节约空间 生产效率 涂层沉积 涂层制备 细小晶粒 直流电源 反应器 浓度场 端段 配比 三段 尾端 制备 加热 穿过 生长 调控 保证 | ||
本发明公开了一种直流加热法制备连续钨芯SiC纤维的短流程一体化装置和方法,属于SiC纤维制备技术领域。首先将钨丝穿过特定设计的一体化反应器,反应器主要分为三段,前端为钨丝清洗端段,中间为SiC沉积段,尾端为涂层沉积段。采用直流电源对钨丝进行加热,通过调控各段通入的反应气体流量、流速和配比等,可获得适于SiC沉积稳定生长的浓度场和温度场分布,保证了SiC纤维的细小晶粒组织,从而制备出高性能的SiC纤维。该方法的优点是集钨丝清洗、SiC沉积和涂层制备于一体,可大幅度节约空间、缩短流程、提高生产效率并降低成本。
技术领域
本发明涉及SiC纤维制备技术领域,具体涉及一种直流加热法制备连续钨芯SiC纤维的短流程一体化装置和方法。
背景技术
航空、航天等领域的迅猛发展,对材料提出了更高、更多的要求,单一的材料体系很难满足需求。新型复合材料将备受关注并获得大量应用。作为增强体之一的连续单丝SiC纤维属于高技术产品,具有高比强度、高比模量、抗腐蚀、耐磨损、热稳定性好等性能优点,适于增强树脂、金属和陶瓷等多种基体,可用于制备镁基复合材料卫星探测平台、钛基复合材料整体叶环、低压涡轮轴、SiC纤维增强碳化硅整流罩等多种复合材料结构件,是一类重要的高技术结构材料,在航空航天工业中具有明确的应用前景。
连续、大直径(>100μm)单丝SiC纤维都是采用化学气相沉积法(CVD)制备的,就是反应气体在热丝(钨芯或碳芯)表面热解沉积生成SiC。钨丝是采用热拉拔的工艺制备的,而碳芯是沥青经过熔融纺丝、固化和碳化工艺制备的。目前只有英(钨芯)、美(碳芯)两国有同类产品,已形成商品,并可大规模生产。但由于其高技术应用背景,其技术和产品均对我国保密和封锁。
目前,国内生产碳芯的技术还不成熟,只能采用钨丝作为载体,生产钨芯SiC纤维。该种纤维主要由钨芯、内部SiC沉积层和外部涂层及层间界面层组成,高性能SiC纤维特征在于:芯材表面光滑没有污染、界面层匹配良好、沉积层晶粒细小缺陷少、表面涂层与沉积层的物理和化学相容性好。因此,生产过程中必须对芯材进行高温清洗、精确控制沉积温度和纤维表面涂层。芯材清洗在600~900℃之间进行,SiC沉积和表面涂层分别在1250~1350℃之间和1300~1500℃之间进行,这样的要求在直流电阻加热工艺中难于实现。因为通过整个纤维的电流恒定,前端纤维直径小、电阻大、温度高;后端直径粗、电阻小、温度低。开始时的高温容易造成钨丝的断裂,前后较大的温差会造成纤维性能下降。
国外采用分段加热法解决了这一技术难题,即将已有的工艺中各工序分开在不同反应容器中进行,将整根丝材分成几段单独进行密封加热,该法易于分别调控温度但流程长、设备成本高、所占空间大且操作复杂,国内相关单位也都采用该法进行纤维生产。如果上述多工序在同一个反应器上进行,则可大幅度节约空间、缩短流程、提高生产效率并降低成本。但各工序的适宜工作温度不同,其不同工序如果在同一反应器中可能会存在的反应气体交互作用,影响纤维质量。
发明内容
为了克服现有技术中存在的上述不足之处,本发明的目的是提供一种直流加热法制备连续钨芯SiC纤维的短流程一体化装置和方法,本发明通过对反应容器的形状和结构进行了设计,对气体流动路径的控制,结合对反应气体种类、浓度、流量、流速、沉积温度、收丝速度的综合精细关联调控,消除了反应气体的交互作用,从而使纤维制备效率和性能稳定性大幅度提高。
为了实现上述目的,本发明的技术方案是:
一种直流加热法制备连续钨芯SiC纤维的短流程一体化装置,该装置包括放丝装置、一体化反应器和收丝装置;其中:所述一体化反应器分为三段,由上至下依次为钨丝清洗段、SiC沉积段和涂层沉积段;所述钨丝清洗段、SiC沉积段和涂层沉积段都为石英玻璃管,其中:钨丝清洗段石英玻璃管的直径为18~25mm,长度为300~500mm;SiC沉积段石英玻璃管的直径为25~30mm,长度为1500~1800mm;涂层沉积段石英玻璃管的直径为18~25mm,长度为200~400mm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院金属研究所,未经中国科学院金属研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611004480.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的