[发明专利]非易失性存储器设备和操作其的方法有效
申请号: | 201610998616.1 | 申请日: | 2016-11-11 |
公开(公告)号: | CN106997778B | 公开(公告)日: | 2021-12-14 |
发明(设计)人: | 郑基镐;朱相炫 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/14 | 分类号: | G11C16/14;G11C16/34;G11C29/44 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邵亚丽 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种非易失性存储器设备包括每个均包括在基板上垂直地形成的单元串的存储块。单元串耦合到多个位线。单元串每个均包括连接到串选择晶体管的存储单元。一种操作非易失性存储器设备的方法包括:响应于擦除命令来对存储块中的第一存储块执行擦除操作,对第一存储块的存储单元执行擦除验证操作,对耦合到第一存储块的至少一些位线的单元串中的每个的串选择晶体管执行第一读出操作,以及至少基于第一读出操作的结果来确定第一存储块是否是故障块。第一读出操作基于从多个读出方案当中选择的第一读出方案。 | ||
搜索关键词: | 非易失性存储器 设备 操作 方法 | ||
【主权项】:
一种操作包括多个存储块的非易失性存储器设备的方法,存储块中的每个包括在基板上垂直地形成的多个单元串,单元串耦合到多个位线,单元串每个均包括连接到串选择晶体管的存储单元,该方法包括:响应于擦除命令对存储块中的第一存储块执行擦除操作;对第一存储块的存储单元执行擦除验证操作;对耦合到第一存储块的至少一些位线的单元串中的每个的串选择晶体管执行第一读出操作,第一读出操作基于从多个读出方案当中选择的第一读出方案;以及至少基于第一读出操作的结果来确定第一存储块是否是故障块。
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