[发明专利]非易失性存储器设备和操作其的方法

权利要求书

1.一种操作包括多个存储块的非易失性存储器设备的方法，存储块中的每个包括在基板上垂直地形成的多个单元串，单元串耦合到多个位线，单元串每个均包括连接到串选择晶体管的存储单元，该方法包括：

响应于擦除命令对存储块中的第一存储块执行擦除操作；

对第一存储块的存储单元执行擦除验证操作；

对耦合到第一存储块的至少一些位线的单元串中的每个的串选择晶体管执行第一读出操作，第一读出操作基于从多个读出方案当中选择的第一读出方案；以及

至少基于第一读出操作的结果来确定第一存储块是否是故障块，

其中，执行第一读出操作包括：向第一存储块的单元串中的每个中所包括的串选择晶体管同时地施加第一读出电压，并且向第一存储块的单元串中的每个中所包括的串选择晶体管同时地施加与第一读出电压不同的第二读出电压。

2.根据权利要求1所述的方法，其中

单元串中的每个包括连接到存储单元的接地选择晶体管，

该方法进一步包括：基于第一读出操作的结果来对耦合到第一存储块的至少一些位线的单元串中的每个中所包括的接地选择晶体管选择性地执行第二读出操作，

第二读出操作基于从多个读出方案中选择的第二读出方案，以及

确定第一存储块是否是故障块包括：基于第二读出操作的结果来确定第一存储块是否是故障块。

3.根据权利要求2所述的方法，其中

执行第一读出方案包括：基于耦合到第一存储块的至少一些位线的单元串中所包括的串选择晶体管中的至少一个的特性来选择第一读出方案，并且

使用至少一个读出电压同时地对耦合到第一存储块的至少一些位线的单元串中所包括的串选择晶体管执行第一读出操作。

4.根据权利要求3所述的方法，其中

第一读出电压的电平低于第一存储块的单元串中的每个中所包括的串选择晶体管的目标电平，以及

第二读出电压与目标电平相对应。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，通过第二读出电压来读出根据第一读出电压被确定为截止状态的串选择晶体管。

6.根据权利要求3所述的方法，其中

基于第一存储块的单元串中所包括的接地选择晶体管中的至少一个的特性来选择第二读出方案，

使用至少一个读出电压同时地对第一存储块的单元串中的至少两个中所包括的接地选择晶体管执行第二读出操作，

第二读出操作包括：向第一存储块的单元串中的至少两个中所包括的接地选择晶体管同时地施加第一读出电压；并且向第一存储块的单元串中的至少两个中所包括的接地选择晶体管同时地施加与第一读出电压不同的第二读出电压，以及

当根据第一读出操作耦合到至少一些位线的单元串中所包括的串选择晶体管被确定为截止状态时，选择性地执行第二读出操作。

7.根据权利要求3所述的方法，其中

执行第一读出操作还包括：向第一存储块的单元串中的至少两个中的串选择晶体管同时地施加具有目标电平的第一读出电压，以及

选择性地执行第二读出操作包括：基于第一存储块的单元串中所包括的接地选择晶体管中的至少一个的特性来选择第二读出方案，以及

选择性地执行第二读出操作包括：使用至少一个读出电压同时地对第一存储块的单元串中的至少两个中的接地选择晶体管执行第二读出操作。

8.根据权利要求3所述的方法，其中，执行第一读出操作包括：对耦合到第一存储块的所有位线的所有单元串执行第一读出操作。

9.根据权利要求3所述的方法，其中，执行第一读出操作还包括：对耦合到第一存储块的位线的一部分的单元串的一部分执行第一读出操作并且对所述位线的所述一部分进行预充电。