[发明专利]非易失性存储器设备和操作其的方法

说明书

一种非易失性存储器设备包括每个均包括在基板上垂直地形成的单元串的存储块。单元串耦合到多个位线。单元串每个均包括连接到串选择晶体管的存储单元。一种操作非易失性存储器设备的方法包括：响应于擦除命令来对存储块中的第一存储块执行擦除操作，对第一存储块的存储单元执行擦除验证操作，对耦合到第一存储块的至少一些位线的单元串中的每个的串选择晶体管执行第一读出操作，以及至少基于第一读出操作的结果来确定第一存储块是否是故障块。第一读出操作基于从多个读出方案当中选择的第一读出方案。

对相关申请的交叉引用

本申请要求于2015年11月12日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2015-0159225号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用整体并入于此。

技术领域

示例实施例总体上涉及半导体集成电路，并且更具体地涉及非易失性存储器设备和/或操作非易失性存储器设备的方法。

背景技术

可以将半导体存储器设备分类为易失性半导体存储器设备和非易失性半导体存储器设备。易失性半导体存储器设备可以以高速执行读取和写入操作。当易失性存储器设备断电时，存储在该设备中的内容可能丢失。即使当非易失性半导体存储器设备断电时，其也可以保留存储于其中的内容。由于这个原因，不管非易失性半导体存储器设备是上电还是断电，该设备都可以用于存储将被保留的内容。

非易失性半导体存储器设备可以包括掩模只读存储器(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)，等等。

闪速存储器设备是非易失性存储器设备的示例。闪速存储器设备可以广泛地用作电子装置的语音和图像存储介质，电子装置诸如计算机、蜂窝电话、PDA、数字相机、摄录机、录音机、MP3播放机、手持式PC、游戏机、传真机、扫描仪、打印机，等等。

随着最近已经越来越多地使用高集成度存储器设备，在存储单元中存储多位数据的多位存储器设备也已经变得更常见。

发明内容

示例实施例涉及提供一种操作非易失性存储器设备的方法，其能够减少用于擦除操作的时间。

示例实施例涉及提供一种执行该方法的非易失性存储器设备。

根据示例实施例，提供了一种操作非易失性存储器设备的方法。非易失性存储器设备包括多个存储块。存储块中的每个包括在基板上垂直地形成的单元串。单元串耦合到多个位线。单元串每个均包括连接到串选择晶体管的存储单元。该方法包括：响应于擦除命令来对存储块中的第一存储块执行擦除操作，对第一存储块的存储单元执行擦除验证操作，对耦合到第一存储块的至少一些位线的单元串中的每个的串选择晶体管执行第一读出(sense)操作，以及至少基于第一读出操作的结果来确定第一存储块是否是故障块。第一读出操作基于从多个读出方案当中选择的第一读出方案。

根据示例实施例，一种非易失性存储器设备包括存储单元阵列、电压生成器、地址译码器、页面缓冲电路和控制电路。存储单元阵列包括多个存储块。存储块中的每个包括在基板上垂直地形成的多个单元串。单元串耦合到多个位线。单元串每个均包括连接到串选择晶体管和接地选择晶体管的存储单元。电压生成器被配置为响应于控制信号来生成字线电压。地址译码器被配置为响应于地址信号来向存储单元阵列施加字线电压。页面缓冲电路通过位线耦合到存储单元阵列。控制电路被配置为控制电压生成器和页面缓冲电路。控制电路被配置为响应于擦除命令来对存储块中的第一存储块执行擦除操作和擦除验证操作。控制电路被配置为控制电压生成器和页面缓冲电路，使得电压生成器和页面缓冲电路对耦合到第一存储块的至少一些位线的单元串中的每个的串选择晶体管执行第一读出操作。第一读出操作基于从多个读出方案当中选择的第一读出方案。控制电路被配置为基于第一读出操作的结果来对耦合到第一存储块的至少一些位线的单元串中的每个的接地选择晶体管选择性地执行第二读出操作。第二读出操作基于从多个读出方案当中选择的第二读出方案。