[发明专利]静态随机存取存储器装置有效
| 申请号： | 201610989840.4 | 申请日： | 2016-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN107039444B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 李东勋;权兑勇;金洞院 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B10/00 | 分类号： | H10B10/00 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何冲 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种静态随机存取存储器装置包括第一晶体管、第二晶体管及第三晶体管，所述第一晶体管、第二晶体管及第三晶体管分别用作通门晶体管、下拉晶体管及上拉晶体管。每一晶体管的沟道区可包括垂直堆叠在衬底上的多个半导体片材。用作第一晶体管的沟道区及第二晶体管的沟道区的半导体片材可具有比用作第三晶体管的沟道区的半导体片材大的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 静态 随机存取存储器 装置 | ||
【主权项】：
一种静态随机存取存储器装置，其特征在于，包括：衬底，包括第一NMOS区、PMOS区及第二NMOS区；第一晶体管，包括在所述第一NMOS区中在第一方向上延伸的第一栅极结构、在所述第一NMOS区中位于所述第一栅极结构的相对侧上的第一源极区/漏极区以及将所述第一源极区/漏极区彼此连接且在所述第一方向上具有第一宽度的第一多个半导体片材，其中所述第一源极区/漏极区在与所述第一方向垂直的第二方向上间隔开；第二晶体管，包括在所述第一NMOS区上在所述第一方向上延伸的第二栅极结构、在所述第一NMOS区中位于所述第二栅极结构的两侧的第二源极区/漏极区以及将所述第二源极区/漏极区彼此连接且在所述第一方向上具有所述第一宽度的第二多个半导体片材，其中所述第二源极区/漏极区在所述第二方向上间隔开；以及第三晶体管，包括在所述PMOS区上在所述第一方向上延伸的第三栅极结构、在所述PMOS区中位于所述第三栅极结构的相对侧上的第三源极区/漏极区以及将所述第三源极区/漏极区彼此连接且在所述第一方向上具有第二宽度的第三多个半导体片材，其中所述第一宽度大于所述第二宽度。
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