[发明专利]静态随机存取存储器装置

权利要求书

1.一种静态随机存取存储器装置，其特征在于，包括：

衬底，包括第一NMOS区、PMOS区及第二NMOS区；

第一晶体管，在所述第一NMOS区上，包括第一栅极结构、第一源极区/漏极区以及第一多个半导体片材，所述第一栅极结构在第一方向上延伸，所述第一多个半导体片材在垂直于所述衬底的顶表面的第三方向上彼此间隔开；

第二晶体管，在所述第一NMOS区上，包括第二栅极结构、第二源极区/漏极区以及第二多个半导体片材，所述第二栅极结构在所述第一方向上延伸，所述第二多个半导体片材在所述第三方向上间隔开；以及

第三晶体管，在所述PMOS区上，包括第三栅极结构、第三源极区/漏极区以及第三多个半导体片材，所述第三栅极结构在所述第一方向上延伸，所述第三多个半导体片材在所述第三方向上彼此间隔开，

其中，所述第一栅极结构包括设置在所述第一多个半导体片材之间并在所述第三方向上间隔开的第一障壁绝缘图案，所述第二栅极结构包括设置在所述第二多个半导体片材之间并在所述第三方向上间隔开的第二障壁绝缘图案，并且所述第一障壁绝缘图案和所述第二障壁绝缘图案位于距所述衬底相同的水平处，

其中与所述衬底间隔开的所述第三多个半导体片材中的每一个在所述第一方向上具有第二宽度，并且与所述衬底间隔开的所述第一多个半导体片材中的每一个以及与所述衬底间隔开的所述第二多个半导体片材中的每一个在所述第一方向上具有大于所述第二宽度的第一宽度，

其中所述第一宽度是所述第二宽度的1.4到10倍。

2.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器装置，其特征在于，所述第一多个半导体片材、所述第二多个半导体片材及所述第三多个半导体片材在垂直方向上堆叠在所述衬底上。

3.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器装置，其特征在于，分别从所述第一多个半导体片材、所述第二多个半导体片材及所述第三多个半导体片材中选择的且位于同一水平高度上的三个半导体片材具有相同的厚度。

4.根据权利要求3所述的静态随机存取存储器装置，其特征在于，所述第一多个半导体片材具有相同的厚度，

所述第二多个半导体片材具有相同的厚度，且

所述第三多个半导体片材具有相同的厚度。

5.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器装置，其特征在于，所述第二多个半导体片材在所述第二方向上的长度与所述第三多个半导体片材在所述第二方向上的长度相等。

6.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器装置，其特征在于，所述第一晶体管及所述第二晶体管是NMOS晶体管，且所述第三晶体管是PMOS晶体管。

7.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器装置，其特征在于，进一步包括：

第四晶体管，包括在所述PMOS区中在所述第一方向上延伸的第四栅极结构、在所述PMOS区中位于所述第四栅极结构的相对侧上的第四源极区/漏极区以及将所述第四源极区/漏极区彼此连接的第四多个半导体片材；

第五晶体管，包括在所述第二NMOS区中在所述第一方向上延伸的第五栅极结构、在所述第二NMOS区中位于所述第五栅极结构的相对侧上的第五源极区/漏极区以及将所述第五源极区/漏极区彼此连接的第五多个半导体片材；以及

第六晶体管，包括在所述第二NMOS区中在所述第一方向上延伸的第六栅极结构、在所述第二NMOS区中位于所述第六栅极结构的相对侧上的第六源极区/漏极区以及将所述第六源极区/漏极区彼此连接的第六多个半导体片材，

其中所述第五多个半导体片材和所述第六多个半导体片材在所述第一方向上的宽度与所述第一多个半导体片材和所述第二多个半导体片材的所述第一宽度相同，并且所述第四多个半导体片材在所述第一方向上的宽度与与所述第三多个半导体片材的所述第二宽度相同。