[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610983600.3 | 申请日： | 2016-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN107026203B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 千大焕;郑永均;周洛龙;朴正熙;李钟锡 | 申请（专利权）人： | 现代自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 陈鹏;李静 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：第一n‑型层和第二n‑型层，顺次布置在n+型碳化硅基板的第一表面上；第一沟槽和第二沟槽，布置在第二n‑型层处并且彼此分隔开；p型区域，围绕第一沟槽的侧表面和下表面；n+型区域，布置在p型区域和第二n‑型层上；栅极绝缘层，布置在第二沟槽中；栅电极，布置在栅极绝缘层上；氧化层，布置在栅电极上；源电极，布置在氧化层和n+型区域上且布置在第一沟槽中；以及漏极，布置在n+型碳化硅基板的第二表面处。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一n‑型层和第二n‑型层，顺次布置在n+型碳化硅基板的第一表面上；第一沟槽和第二沟槽，布置在所述第二n‑型层处并且彼此分隔开；p型区域，围绕所述第一沟槽的侧表面和下表面；n+型区域，布置在所述p型区域和所述第二n‑型层上；栅极绝缘层，布置在所述第二沟槽中；栅电极，布置在所述栅极绝缘层上；氧化层，布置在所述栅电极上；源电极，布置在所述氧化层和所述n+型区域上并且布置在所述第一沟槽中；以及漏电极，布置在所述n+型碳化硅基板的第二表面处。
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