[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610983600.3 | 申请日： | 2016-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN107026203B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 千大焕;郑永均;周洛龙;朴正熙;李钟锡 | 申请（专利权）人： | 现代自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 陈鹏;李静 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
第一n-型层和第二n-型层，顺次布置在n+型碳化硅基板的第一表面上；
第一沟槽和第二沟槽，布置在所述第二n-型层处并且彼此分隔开；
p型区域，围绕所述第一沟槽的侧表面和下表面；
n+型区域，布置在所述p型区域和所述第二n-型层上；
栅极绝缘层，布置在所述第二沟槽中；
栅电极，布置在所述栅极绝缘层上；
氧化层，布置在所述栅电极上；
源电极，布置在所述氧化层和所述n+型区域上并且布置在所述第一沟槽中；以及
漏电极，布置在所述n+型碳化硅基板的第二表面处，
其中，当所述半导体器件关闭时形成在所述第一n-型层和第二n-型层中的耗尽层的面积大于当所述半导体器件执行MOSFET操作时形成在所述第一n-型层和第二n-型层中的耗尽层的面积。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
所述第二n-型层的掺杂浓度不同于所述第一n-型层的掺杂浓度。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，
所述第二n-型层布置在所述第二沟槽与所述p型区域之间。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，进一步包括：
p+型区域，布置在所述第一沟槽的下表面与所述p型区域之间。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，
所述源电极接触被布置在所述第一沟槽下面的所述p+型区域。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
所述源电极和所述漏电极中的每一个包括欧姆金属。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
所述第二n-型层的掺杂浓度等于所述第一n-型层的掺杂浓度。
8.一种半导体器件的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：
在n+型碳化硅基板的第一表面上顺次形成第一n-型层和第二n-型层；
在所述第二n-型层上形成n+型区域；
通过蚀刻所述n+型区域和所述第二n-型层形成彼此分隔开的第一沟槽和第二沟槽；
形成p型区域以围绕所述第一沟槽的侧部和下部；
在所述第一沟槽的下表面与所述p型区域之间形成p+型区域；
在所述第二沟槽中形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上形成栅电极；
在所述栅电极上形成氧化层；
在所述氧化层和所述n+型区域上并且在所述第一沟槽中形成源电极；并且
在所述n+型碳化硅基板的第二表面处形成漏电极，
其中，所述源电极接触被布置在所述第一沟槽下面的所述p+型区域，以及
其中，当所述半导体器件关闭时形成在所述第一n-型层和第二n-型层中的耗尽层的面积大于当所述半导体器件执行MOSFET操作时形成在所述第一n-型层和第二n-型层中的耗尽层的面积。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其中，
所述第二n-型层的掺杂浓度不同于所述第一n-型层的掺杂浓度。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其中，在形成所述p型区域的过程中，
通过倾斜离子注入来注入p离子。
11.根据权利要求8所述的制造方法，其中，
所述第二n-型层的掺杂浓度等于所述第一n-型层的掺杂浓度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于现代自动车株式会社，未经现代自动车株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610983600.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
