[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置

摘要

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置。该阵列基板的制备方法包括在衬底上依次形成有源膜层、第一绝缘膜层、栅极膜层，通过一次构图工艺形成包括有源层、第一绝缘层和栅极的图形；形成栅绝缘层，通过一次构图工艺在所述第一绝缘层和所述栅绝缘层中分别形成第一接触孔和第二接触孔；形成像素电极膜层，在所述像素电极膜层中形成第一接触结构和第二接触结构；形成源漏膜层，通过一次构图工艺，形成包括像素电极、源极和漏极的图形，所述源极和所述漏极分别位于所述第一接触结构和所述第二接触结构的上方。该阵列基板的制备方法简化了生产过程，减少了由于对位不准引起的产品不良。

主权项

一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括步骤：在衬底上依次形成有源膜层、第一绝缘膜层、栅极膜层，通过一次构图工艺形成包括有源层、第一绝缘层和栅极的图形，所述有源层在所述衬底上的正投影面积大于所述栅极的正投影面积；形成栅绝缘层，通过一次构图工艺在所述第一绝缘层和所述栅绝缘层中分别形成第一接触孔和第二接触孔，以裸露出所述有源层，所述第一接触孔和所述第二接触孔在所述衬底上的正投影位于所述有源层在所述衬底上的正投影内；形成像素电极膜层，在所述像素电极膜层中形成第一接触结构和第二接触结构，所述第一接触结构和所述第二接触结构在所述衬底上的正投影至少分别包括所述第一接触孔和所述第二接触孔在所述衬底上的正投影；形成源漏膜层，通过一次构图工艺，形成包括像素电极、源极和漏极的图形，所述源极和所述漏极分别位于所述第一接触结构和所述第二接触结构的上方。