[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置。

背景技术

在液晶显示领域中，薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)的有源层一直使用稳定性能、加工性能等优异的硅系材料(包括非晶硅和多晶硅)，其中非晶硅迁移率很低，而多晶硅虽然有较高的迁移率，但用其制造的薄膜晶体管均匀性较差、良率低、单价高。近年来，将透明的氧化物半导体膜用于沟道形成区来制造薄膜晶体管，并应用于电子器件及光器件的技术受到广泛关注。

现有的一种顶栅结构的氧化物薄膜晶体管的阵列基板结构中，衬底上方依次为有源层、第一绝缘层、栅极、栅绝缘层、源极和漏极、钝化层和像素电极；源极和漏极均由电阻较小的金属材料组成，直接设置在栅绝缘层上方，通过过孔与有源层连接；像素电极设置在钝化层上方，钝化层中开设过孔，像素电极通过过孔与漏极相连。而且，由于像素电极与漏极间隔钝化层设置，为保证两者的连接，需在钝化层上设置多个过孔，工艺难度大。而若采用先形成像素电极，然后在其上直接形成漏极以使两者直接连接的方式以省去钝化层过孔，则后续形成像素电极的湿刻工艺的刻蚀液会对有源层产生不良影响。

同时，现有的氧化物薄膜晶体管的阵列基板的工艺需进行六次构图工艺，分别为有源层、栅极、栅绝缘层以及第一绝缘层的过孔、数据线以及源极和漏极、钝化层和像素电极，多次掩模曝光构图加大阵列基板制备工艺的难度，而且容易出现由于对位精度不足引起的不良，产品良率下降。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足，提供一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置，该阵列基板的制备方法至少部分解决氧化物薄膜晶体管的阵列基板的工艺繁多复杂，容易出现由于对位精度不足引起的不良的问题。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是该阵列基板的制备方法，包括步骤：

在衬底上依次形成有源膜层、第一绝缘膜层、栅极膜层，通过一次构图工艺形成包括有源层、第一绝缘层和栅极的图形，所述有源层在所述衬底上的正投影面积大于所述栅极的正投影面积；

形成栅绝缘层，通过一次构图工艺在所述第一绝缘层和所述栅绝缘层中分别形成第一接触孔和第二接触孔，以裸露出所述有源层，所述第一接触孔和所述第二接触孔在所述衬底上的正投影位于所述有源层在所述衬底上的正投影内；

形成像素电极膜层，在所述像素电极膜层中形成第一接触结构和第二接触结构，所述第一接触结构和所述第二接触结构在所述衬底上的正投影至少分别包括所述第一接触孔和所述第二接触孔在所述衬底上的正投影；

形成源漏膜层，通过一次构图工艺，形成包括像素电极、源极和漏极的图形，所述源极和所述漏极分别位于所述第一接触结构和所述第二接触结构的上方。

优选的是，，所述像素电极膜层采用透明的金属氧化物形成，在所述像素电极膜层中形成第一接触结构和第二接触结构的步骤包括：

在所述像素电极膜层的上方形成光敏感绝缘膜层，通过一次构图工艺去除至少对应着所述第一接触孔和所述第二接触孔部分的所述光敏感绝缘膜层；

将至少对应着所述第一接触孔和所述第二接触孔部分的所述像素电极膜层的金属氧化物还原处理为金属，从而在所述像素电极膜层对应着所述第一接触孔的上方形成所述第一接触结构，对应着所述第二接触孔的上方形成所述第二接触结构。

优选的是，形成所述像素电极膜层的金属氧化物为氧化铟锡，采用还原气体处理工艺将氧化铟锡还原为金属铟。

优选的是，还原气体包括H2、NH3。

优选的是，所述第一绝缘层和所述栅绝缘层采用相同的材料形成。

一种阵列基板，包括依次层叠设置的有源层、第一绝缘层、栅极、栅绝缘层、像素电极、同层设置的源极和漏极，所述源极和所述漏极的区域下方分别包括与所述像素电极同层设置的第一接触结构和第二接触结构，所述源极通过所述第一接触结构与所述有源层电连接，所述漏极通过所述第二接触结构与所述有源层电连接。

优选的是，所述像素电极为透明的金属氧化物，所述第一接触结构和所述第二接触结构为金属；且所述像素电极中的金属氧化物具有与所述第一接触结构和所述第二接触结构中相同的金属成分。

优选的是，形成所述像素电极的透明的金属氧化物为氧化铟锡，形成所述第一接触结构和所述第二接触结构的金属为铟。