[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括步骤：

在衬底上依次形成有源膜层、第一绝缘膜层、栅极膜层，通过一次构图工艺形成包括有源层、第一绝缘层和栅极的图形，所述有源层在所述衬底上的正投影面积大于所述栅极的正投影面积；

形成栅绝缘层，通过一次构图工艺在所述第一绝缘层和所述栅绝缘层中分别形成第一接触孔和第二接触孔，以裸露出所述有源层，所述第一接触孔和所述第二接触孔在所述衬底上的正投影位于所述有源层在所述衬底上的正投影内；

形成像素电极膜层，在所述像素电极膜层中形成第一接触结构和第二接触结构，所述第一接触结构和所述第二接触结构在所述衬底上的正投影至少分别包括所述第一接触孔和所述第二接触孔在所述衬底上的正投影；

形成源漏膜层，通过一次构图工艺，形成包括像素电极、源极和漏极的图形，所述源极和所述漏极分别位于所述第一接触结构和所述第二接触结构的上方。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述像素电极膜层采用透明的金属氧化物形成，在所述像素电极膜层中形成第一接触结构和第二接触结构的步骤包括：

在所述像素电极膜层的上方形成光敏感绝缘膜层，通过一次构图工艺去除至少对应着所述第一接触孔和所述第二接触孔部分的所述光敏感绝缘膜层；

将至少对应着所述第一接触孔和所述第二接触孔部分的所述像素电极膜层的金属氧化物还原处理为金属，从而在所述像素电极膜层对应着所述第一接触孔的上方形成所述第一接触结构，对应着所述第二接触孔的上方形成所述第二接触结构。

3.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，形成所述像素电极膜层的金属氧化物为氧化铟锡，采用还原气体处理工艺将氧化铟锡还原为金属铟。

4.根据权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，还原气体包括H₂、NH₃。

5.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一绝缘层和所述栅绝缘层采用相同的材料形成。

6.一种阵列基板，其特征在于，包括依次层叠设置的有源层、第一绝缘层、栅极、栅绝缘层、像素电极、同层设置的源极和漏极，所述源极和所述漏极的区域下方分别包括与所述像素电极同层设置的第一接触结构和第二接触结构，所述源极通过所述第一接触结构与所述有源层电连接，所述漏极通过所述第二接触结构与所述有源层电连接。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极为透明的金属氧化物，所述第一接触结构和所述第二接触结构为金属；且所述像素电极中的金属氧化物具有与所述第一接触结构和所述第二接触结构中相同的金属成分。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，形成所述像素电极的金属氧化物为氧化铟锡，形成所述第一接触结构和所述第二接触结构的金属为铟。

9.根据权利要求6-8任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层设置于所述栅极与所述有源层之间，且仅设置于对应着所述有源层的上方，所述第一绝缘层在衬底上的正投影面积大于所述栅极的正投影面积而小于所述有源层的正投影面积。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求6-9任一项所述的阵列基板。