[发明专利]半导体金属引线的制造方法和半导体金属引线

摘要

本发明的半导体金属引线的制造方法和半导体金属引线，其在半导体的制造方法中，通过在半导体衬底上进行绝缘介质生长，形成层间介质层；并对该层间介质层进行刻蚀，形成引线孔；在形成引线孔后的半导体衬底上沉积隔离介质，形成隔离层；在隔离层上沉积金属介质，形成金属层；对隔离层和金属层进行刻蚀，从而形成独特的由隔离层和金属层构成的两层金属引线结构，从根本上避免了金属层元素与半导体衬底层元素发生互溶的问题，提高半导体产品的生产良率和可靠性，降低生产成本，提高半导体制造的产品的市场竞争力。

主权项

一种半导体金属引线的制造方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上进行绝缘介质生长，形成层间介质层；对所述层间介质层进行刻蚀，形成引线孔；在形成所述引线孔后的半导体衬底上沉积隔离介质，形成隔离层；在所述隔离层上沉积金属介质，形成金属层；对所述隔离层和所述金属层进行刻蚀，形成金属引线。