[发明专利]半导体金属引线的制造方法和半导体金属引线在审
| 申请号： | 201610955766.4 | 申请日： | 2016-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN107993941A | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 贺冠中 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 张娜,刘芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 金属 引线 制造 方法 | ||
1.一种半导体金属引线的制造方法，其特征在于，包括：
在半导体衬底上进行绝缘介质生长，形成层间介质层；
对所述层间介质层进行刻蚀，形成引线孔；
在形成所述引线孔后的半导体衬底上沉积隔离介质，形成隔离层；
在所述隔离层上沉积金属介质，形成金属层；
对所述隔离层和所述金属层进行刻蚀，形成金属引线。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在形成所述引线孔后的半导体衬底上沉积隔离介质，形成隔离层，包括：
采用化学气相沉积工艺在形成所述引线孔后的半导体衬底上沉积高掺杂多晶硅，形成高掺杂低电阻的多晶硅层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在形成所述引线孔后的半导体衬底上沉积隔离介质，形成隔离层，包括：
在形成所述引线孔后的半导体衬底上沉积多晶硅，在所沉积的多晶硅内注入或扩散掺杂介质，形成高掺杂低电阻的多晶硅层。
4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述高掺杂低电阻的多晶硅层中所包含的掺杂介质包括以下介质中的至少一种：硼、磷、砷、锑。
5.根据权利要求1～3任一项所述的方法，其特征在于，所述对所述隔离层和所述金属层进行刻蚀，包括：
采用干法刻蚀对所述隔离层和所述金属层进行刻蚀，形成金属引线。
6.根据权利要求1～3任一项所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底包括以下衬底中的任意一种：硅衬底、氮化镓衬底、碳化硅衬底。
7.根据权利要求1～3任一项所述的方法，其特征在于，所述金属介质为铝。
8.根据权利要求1～3任一项所述的方法，其特征在于，所述绝缘介质为氧化硅或氮化硅。
9.一种半导体金属引线，其特征在于，包括：半导体衬底上形成的层间介质层；所述层间介质层为绝缘层；
所述层间介质层上形成有引线孔；
所述引线孔内形成有隔离层和金属层；
其中，所述引线孔内的所述隔离层与所述半导体衬底相接触，所述金属层位于所述隔离层上方。
10.根据权利要求9所述的半导体金属引线，其特征在于，所述隔离层为高掺杂低电阻的多晶硅层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
