[发明专利]像素结构及其制作方法

摘要

一种像素结构，包括第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层以及第三金属层。第二金属层设置于第一绝缘层上，第二金属层具有至少一第一资料线、至少一源极及至少一第一漏极，其中第一资料线与源极电性连接，且第一漏极与第一资料线之间具有第一距离。第二绝缘层设置于第二金属层上，第二绝缘层至少具有一图案化开口对应第一漏极设置，且图案化开口的面积大于第一漏极的面积。第三金属层具有至少一第二漏极与第一漏极电性连接，第二漏极对应图案化开口设置于第一漏极上，且第二漏极与第一资料线之间具有第二距离，且第二距离小于第一距离。

主权项

1.一种像素结构，设置于一基板上，其包括：一图案化半导体层，设置于该基板上；一栅极绝缘层，设置于该图案化半导体层上；一第一金属层，设置于该栅极绝缘层上，其中该第一金属层具有至少一栅极线及至少一栅极，且该栅极与该栅极线电性连接；一第一绝缘层，设置于该第一金属层上；一第二金属层，设置于该第一绝缘层上，其中该第二金属层具有至少一第一资料线、至少一源极及至少一第一漏极，其中该第一资料线与该源极电性连接，该第一资料线与该第一漏极电性分离，且该第一漏极在一第一方向上与该第一资料线之间具有一第一距离D1；一第二绝缘层，设置于该第二金属层上，其中该第二绝缘层至少具有一图案化开口对应该第一漏极设置，且该图案化开口的面积实质上大于该第一漏极的面积；一第三金属层，具有至少一第二漏极与该第一漏极电性连接，该第二漏极对应该图案化开口设置于该第一漏极上，且该第二漏极在该第一方向上与该第一资料线之间具有一第二距离D2，且该第二距离D2实质上小于该第一距离D1；一第三绝缘层，设置于该第三金属层上；以及一像素电极，设置于该第三绝缘层上，且该像素电极与该第二漏极电性连接。