[发明专利]像素结构及其制作方法

权利要求书

1.一种像素结构，设置于一基板上，其包括：

一图案化半导体层，设置于该基板上；

一栅极绝缘层，设置于该图案化半导体层上；

一第一金属层，设置于该栅极绝缘层上，其中该第一金属层具有至少一栅极线及至少一栅极，且该栅极与该栅极线电性连接；

一第一绝缘层，设置于该第一金属层上；

一第二金属层，设置于该第一绝缘层上，其中该第二金属层具有至少一第一资料线、至少一源极及至少一第一漏极，其中该第一资料线与该源极电性连接，该第一资料线与该第一漏极电性分离，且该第一漏极在一第一方向上与该第一资料线之间具有一第一距离D1；

一第二绝缘层，设置于该第二金属层上，其中该第二绝缘层至少具有一图案化开口对应该第一漏极设置，且该图案化开口的面积实质上大于该第一漏极的面积；

一第三金属层，具有至少一第二漏极与该第一漏极电性连接，该第二漏极对应该图案化开口设置于该第一漏极上，且该第二漏极在该第一方向上与该第一资料线之间具有一第二距离D2，且该第二距离D2实质上小于该第一距离D1；

一第三绝缘层，设置于该第三金属层上；以及

一像素电极，设置于该第三绝缘层上，且该像素电极与该第二漏极电性连接。

2.如权利要求1所述的像素结构，其中该第二距离D2与该第一距离D1相减具有一距离差P，且该距离差P大于等于2微米。

3.如权利要求1所述的像素结构，其中该第二绝缘层覆盖该源极与该第一资料线。

4.如权利要求1所述的像素结构，其中该第一漏极具有一第一线宽W1，该第二漏极具有一第二线宽W2，且该第二线宽W2实质上大于该第一线宽W1。

5.如权利要求4所述的像素结构，其中该第二线宽W2与该第一线宽W1具有一比值R，且该比值R满足3≧R≧1.5。

6.如权利要求1所述的像素结构，其中该第一资料线实质上沿一第二方向延伸，该栅极线实质上沿该第一方向延伸，且该第一资料线与该栅极线相交。

7.一种像素结构，设置于一基板上，其包括：

一图案化半导体层，设置于该基板上；

一栅极绝缘层，设置于该图案化半导体层上；

一第一金属层，设置于该栅极绝缘层上，其中该第一金属层具有至少一栅极线及至少一栅极，且该栅极与该栅极线电性连接；

一第一绝缘层，设置于该第一金属层上；

一第二金属层，设置于该第一绝缘层上，该第二金属层具有至少一漏极、至少一第一源极与至少一第二源极，其中该第一源极及该第二源极在一第一方向上并排设置，且该第一源极及该第二源极在该第一方向上具有一第一距离D1；

一第二绝缘层，设置于该第二金属层及该第一绝缘层上，其中该第二绝缘层具有多个图案化开口，且该些图案化开口分别对应该第一源极及该第二源极设置；

一第三金属层，设置于该第二金属层、该第二绝缘层及该第一绝缘层上并对应该些图案化开口设置，且该第三金属层具有至少一第一资料线、至少一第二资料线、至少一第三源极及至少一第四源极，其中该第一资料线及该第二资料线在该第一方向上分别对应该些图案化开口设置，并互相平行设置于该第一绝缘层上，该第三源极及该第四源极对应该些图案化开口分别设置于该第一源极及该第二源极上，且该第三源极在该第一方向上与该第四源极之间具有一第二距离D2，且该第一距离D1实质上大于该第二距离D2，且D1≦(Q*D2)，其中Q≧2；

一第三绝缘层，设置于该第三金属层上；以及

一像素电极，设置于该第三绝缘层上，且该像素电极与该漏极电性连接。

8.如权利要求7所述的像素结构，其中该第一资料线与该第一源极及该第三源极电性连接，且该第二资料线与该第二源极及该第四源极电性连接。

9.如权利要求7所述的像素结构，其中该漏极在该第一方向上设置于该第一资料线及该第二资料线之间。

10.如权利要求7所述的像素结构，其中该第二绝缘层覆盖该漏极。