[发明专利]像素结构及其制作方法

说明书

一种像素结构，包括第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层以及第三金属层。第二金属层设置于第一绝缘层上，第二金属层具有至少一第一资料线、至少一源极及至少一第一漏极，其中第一资料线与源极电性连接，且第一漏极与第一资料线之间具有第一距离。第二绝缘层设置于第二金属层上，第二绝缘层至少具有一图案化开口对应第一漏极设置，且图案化开口的面积大于第一漏极的面积。第三金属层具有至少一第二漏极与第一漏极电性连接，第二漏极对应图案化开口设置于第一漏极上，且第二漏极与第一资料线之间具有第二距离，且第二距离小于第一距离。

技术领域

本发明关于一种像素结构及其制作方法，尤指一种具有高解析度的像素结构及其制作方法。

背景技术

随着显示科技的进步，市场上对于显示面板具有高画质的需求日益渐增。然而，为了制作出高解析度的显示面板，每一像素区所占的面积需越小越好，但目前受限于制程能力，电极与导线的宽度以及彼此之间的间距无法进一步缩短，使得像素区所占的面积不易缩小，进而限制了显示面板的解析度。有鉴于此，如何在有限的制程能力下有效地缩小每一像素区所占的面积，确实是产业界亟待解决的一项课题。

发明内容

本发明的目的之一在于提供一种可以突破制程极限的高解析度的像素结构及其制作方法。

本发明的一实施例提供一种像素结构设置于基板上并包括图案化半导体层、栅极绝缘层、第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层、第三金属层、第三绝缘层以及像素电极。图案化半导体层设置于基板上，而栅极绝缘层设置于图案化半导体层上。第一金属层设置于栅极绝缘层上，其中第一金属层具有至少一栅极线及至少一栅极，且栅极与栅极线电性连接。第一绝缘层设置于第一金属层上。第二金属层设置于第一绝缘层上，其中第二金属层具有至少一第一资料线、至少一源极及至少一第一漏极，其中第一资料线与源极电性连接，第一资料线与第一漏极电性分离，且第一漏极在第一方向上与第一资料线之间具有第一距离D1。第二绝缘层设置于第二金属层上，其中第二绝缘层至少具有一图案化开口对应第一漏极设置，且图案化开口的面积实质上大于第一漏极的面积。第三金属层具有至少一第二漏极与第一漏极电性连接，第二漏极对应图案化开口设置于第一漏极上，且第二漏极在第一方向上与第一资料线之间具有第二距离D2，且第二距离D2实质上小于第一距离D1。第三绝缘层设置于第三金属层上，以及像素电极设置于第三绝缘层上，且像素电极与第二漏极电性连接。

本发明的另一实施例提供一种像素结构设置于基板上并包括图案化半导体层、栅极绝缘层、第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层、第三金属层、第三绝缘层以及像素电极。图案化半导体层设置于基板上，栅极绝缘层设置于图案化半导体层上，以及第一金属层设置于栅极绝缘层上，其中第一金属层具有至少一栅极线及至少一栅极，且栅极与栅极线电性连接。第一绝缘层设置于第一金属层上，第二金属层设置于第一绝缘层上，其中第二金属层具有至少一漏极、至少一第一源极与至少一第二源极，其中第一源极及第二源极在第一方向上互相并排设置，且第一源极及第二源极在第一方向上具有第一距离D1。第二绝缘层设置于第二金属层及第一绝缘层上，其中第二绝缘层具有多个图案化开口，且图案化开口分别对应第一源极及第二源极设置。第三金属层设置于第二金属层、第二绝缘层及第一绝缘层上并对应图案化开口设置，且第三金属层具有至少一第一资料线、至少一第二资料线、至少一第三源极及至少一第四源极，其中第一资料线及第二资料线在第一方向上分别对应图案化开口设置，并互相平行设置于第一绝缘层上，第三源极及第四源极对应图案化开口分别设置于第一源极及第二源极上，且第三源极在第一方向上与第四源极之间具有第二距离D2，且第一距离D1实质上大于第二距离D2。第三绝缘层设置于第三金属层上，以及像素电极设置于第三绝缘层上，且像素电极与漏极电性连接。

附图说明

图1为本发明像素结构的第一实施例的俯视示意图。

图2为图1所示像素结构沿着剖面线A-A’的剖面示意图。

图3为图1所示像素结构沿着剖面线B-B’及C-C’的剖面示意图。