[发明专利]用于运行金属氧化物半导体场效应晶体管的方法有效
| 申请号： | 201610953777.9 | 申请日： | 2016-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN107104662B | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | D.马奎特;B.维歇尔特;F.于尔茨赫费尔 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/13 | 分类号： | H03K17/13 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 卢江;杜荔南 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提出一种用于运行金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET（54）的方法，其中MOSFET（54）以开关运行来运行，并且其中MOSFET（54）的通过S端子（源极）和D端子（漏极）来表征的区段从基本上不导通的状态（21）切换到基本上导通的状态（23）或相反地切换，并且其中馈送到MOSFET（54）的G端子（栅极）中的驱动电流（12）的值（12a；12b；12c）根据D端子和S端子之间的电压、即DS电压（14）来预先给定，并且其中驱动电流（12）根据DS电压（14）的时间变化在不同的值（12a；12b；12c）之间进行切换。在此所述值（12a；12b；12c）中的至少一个借助调节（43）来预先给定。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 运行 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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