[发明专利]用于运行金属氧化物半导体场效应晶体管的方法

说明书

提出一种用于运行金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET（54）的方法，其中MOSFET（54）以开关运行来运行，并且其中MOSFET（54）的通过S端子（源极）和D端子（漏极）来表征的区段从基本上不导通的状态（21）切换到基本上导通的状态（23）或相反地切换，并且其中馈送到MOSFET（54）的G端子（栅极）中的驱动电流（12）的值（12a；12b；12c）根据D端子和S端子之间的电压、即DS电压（14）来预先给定，并且其中驱动电流（12）根据DS电压（14）的时间变化在不同的值（12a；12b；12c）之间进行切换。在此所述值（12a；12b；12c）中的至少一个借助调节（43）来预先给定。

技术领域

本发明涉及根据权利要求1的前序部分的方法以及根据并列专利权利要求的电路装置和计算机程序。

背景技术

该领域中的一个专利公开是WO 00/27032。

金属氧化物半导体场效应晶体管（英文：“metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor”，MOSFET或MOS-FET）属于具有绝缘控制端子（英文：“gate”栅极）的场效应晶体管，也称为IGFET。虽然如今多晶硅作为栅极材料占主导，但是名称MOSFET保留。因此从历史上“MOSFET”作为同义词表示“IGFET”。此外，术语MOSFET可以包括多个具体的半导体结构，例如所谓的“VMOS”结构或“VMOS晶体管”（英文：“v-groove MOS-field-effect-transistor”，v形槽金属氧化物半导体场效应晶体管）。此外，在线性应用中，MOSFET特别是被用于开关应用，例如用于直流电压转换器并且用在半桥或全桥中以用于控制电动马达。

发明内容

本发明所基于的问题通过根据权利要求1的方法以及通过根据并列权利要求的电路装置和计算机程序来解决。有利的改进方案在从属权利要求中说明。此外，对于本发明重要的特征可在随后的说明书中并且在附图中找到，其中特征不仅可以单独地而且可以以不同的组合对于本发明重要，对此不做明确地再次提示。

本发明涉及一种用于运行金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的方法，其中MOSFET以开关运行来运行，并且其中MOSFET的通过S端子（源极）和D端子（漏极）表示的区段从基本上不导通的状态被切换到基本上导通的状态或者相反地切换，并且其中被馈送到MOSFET的G端子（栅极）中的驱动电流的值根据D端子和S端子之间的电压（DS电压，英文：“drain-source-voltage，漏源电压”，“VDS”）来预先规定，并且其中驱动电流根据DS电压的时间变化在不同的值之间进行切换。在此，所述值中的至少一个借助调节来预先给定。借助该方法可以以特别定义的方式接通或切断MOSFET。术语“接通”在此意味着，控制MOSFET到基本上导通的状态中。相应地，术语“切断”意味着，控制MOSFET到基本上不导通的状态中。

例如MOSFET可以被实施为“VMOS晶体管”（英文：“v-groove MOS-field-effect-transistor，v形槽金属氧化物半导体场效应晶体管”）或“Trench FET”或“Trench-LDMOS”（英文：“lateral double-diffused MOSFET，横向双扩散MOSFET”）或者借助其他半导体工艺来实施。特别是更新的MOSFET能够相对快地开关。

本发明具有以下优点，即可以改进MOSFET的开关特性。这特别是涉及功率MOSFET。在此，可以改进电磁波的不期望的辐射（电磁兼容，“EMV”）和在开关过程中产生的开关损耗之间的折衷。例如不期望的辐射能够在大约100千赫兹和大约400千赫兹之间的宽的频率范围内特别强地突出。

在DS电压的关于现有技术基本上相同的陡度的情况下，必要时甚至可以借助所提出的方法缩小开关损耗。该陡度随后也被称为“边沿陡度”。特别是可以以相对大的比例并且基本上与器件公差无关地预先规定该陡度。此外，本方法需要相对少地附加的器件并且可以相对稳定地执行。特别是可以相对良好地遵守不期望的电磁波的辐射的预先规定的极限值。