[发明专利]用于运行金属氧化物半导体场效应晶体管的方法

权利要求书

1.用于运行金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET（54）的方法，其中MOSFET（54）以开关运行来运行，并且其中MOSFET（54）的通过S端子（源极）和D端子（漏极）来表征的区段从不导通的状态（21）切换到导通的状态（23）或相反地切换，并且其中馈送到MOSFET（54）的G端子、即栅极中的驱动电流（12）的值（12a；12b；12c）根据D端子和S端子之间的电压、即DS电压（14）来预先给定，并且其中驱动电流（12）的值根据DS电压（14）的时间变化在不同的值（12a；12b；12c）之间进行切换，其特征在于，所述值（12a；12b；12c）中的至少一个借助调节（43）来预先给定。

2.根据权利要求1所述的方法，其中DS电压（14）的从时间变化确定的边沿陡度（15）与额定值（46）进行比较。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中调节（43）根据时间差来进行，并且其中所述时间差通过离开不导通的状态（21）并且到达导通的状态（23）来表征，或者通过离开导通的状态（23）并且到达不导通的状态（21）来表征。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中驱动电流（12）根据DS电压（14）的当前时间变化在不同的值（12a；12b；12c）之间进行切换。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中第一调节（43）被设置用于MOSFET（54）从不导通的状态（21）切换到导通的状态（23），并且其中第二调节（43）被设置用于MOSFET（54）从导通的状态（23）切换到不导通的状态（21）。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其中如果MOSFET（54）应该切换到导通的状态（23），但是还未导通，则预先给定用于MOSFET（54）的第一状态（21）的驱动电流（12）的第一值（12a），并且其中如果MOSFET（54）处于不导通的状态（21）和导通的状态（23）之间的过渡状态，则预先给定用于MOSFET（54）的第二状态（22）的驱动电流（12）的第二值（12b），并且其中如果MOSFET（54）导通，则预先给定用于MOSFET（54）的第三状态（23）的驱动电流（12）的第三值（12c）。

7.根据权利要求6所述的方法，其中如果DS电压（14）比第一状态（21）中的DS电压（14）小第一阈值（24a），则进行从驱动电流（12）的第一值（12a）到第二值（12b）的切换，并且其中如果DS电压（14）小于第三状态（23）中的DS电压（14）加上第二阈值（24b）的和，则进行从驱动电流（12）的第二值（12b）到第三值（12c）的切换。

8.根据权利要求1或2所述的方法，其中如果MOSFET（54）应该切换到不导通的状态（21），但是还导通，则预先给定用于MOSFET（54）的第一状态（23）的驱动电流（12）的第一值（12c），并且其中如果MOSFET（54）处于导通的状态（23）和不导通的状态（21）之间的过渡状态，则预先给定用于MOSFET（54）的第二状态（22）的驱动电流（12）的第二值（12b），并且其中如果MOSFET（54）不导通，则预先给定用于MOSFET（54）的第三状态（21）的驱动电流（12）的第三值（12a）。

9.根据权利要求8所述的方法，其中如果DS电压（14）比第一状态（23）中的DS电压（14）大第一阈值（24b），则进行从驱动电流（12）的第一值（12c）到第二值（12b）的切换，并且其中如果DS电压（14）大于第三状态（21）中的DS电压（14）与第二阈值（24a）的差，则进行从驱动电流（12）的第二值（12b）到第三值（12a）的切换。