[发明专利]多层电容及其制造方法有效
| 申请号： | 201610936583.8 | 申请日： | 2016-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN107978592B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 何永;冯骏;王者伟 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆;胡彬 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了多层电容及其制造方法，其中，该方法包括：在有源层表面形成两个隔离凹槽和至少一个阻挡凹槽，其中所述至少一个阻挡凹槽位于所述两个隔离凹槽之间；对所述两个隔离凹槽和全部所述阻挡凹槽进行氧化物填充，并使得所述氧化物高于所述有源层的表面；在所述两个隔离凹槽和至少一个阻挡凹槽之外的有源层表面上形成隧穿氧化层，并在所述隧穿氧化层和所述氧化物上形成浮栅层。本发明通过在有源层中添加至少一个阻挡凹槽并对其进行氧化物填充，使得氧化物高于有源层的表面，在对浮栅进行研磨时，阻挡凹槽中填充的氧化物会阻挡对浮栅过度研磨，使得多层电容浮栅的厚度不会偏薄，在对浮栅进行引出时有源层和浮栅层也不容易短路。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 电容 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多层电容的制造方法，其特征在于，包括：在有源层表面形成两个隔离凹槽和至少一个阻挡凹槽，其中所述至少一个阻挡凹槽位于所述两个隔离凹槽之间；对所述两个隔离凹槽和全部所述阻挡凹槽进行氧化物填充，并使得所述氧化物高于所述有源层的表面；在所述两个隔离凹槽和至少一个阻挡凹槽之外的有源层表面上形成隧穿氧化层，并在所述隧穿氧化层和所述氧化物上形成浮栅层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京兆易创新科技股份有限公司，未经北京兆易创新科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610936583.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
