[发明专利]多层电容及其制造方法

权利要求书

1.一种多层电容的制造方法，其特征在于，包括：

在有源层表面形成两个隔离凹槽和至少一个阻挡凹槽，其中所述至少一个阻挡凹槽位于所述两个隔离凹槽之间；

对所述两个隔离凹槽和全部所述阻挡凹槽进行氧化物填充，在所述隔离凹槽中填充隔离氧化物，在所述阻挡凹槽中填充阻挡氧化物，并使得所述氧化物高于所述有源层的表面，所述阻挡氧化物用于阻挡对浮栅的过度研磨；

在所述两个隔离凹槽和至少一个阻挡凹槽之外的有源层表面上形成隧穿氧化层，并在所述隧穿氧化层和所述氧化物上形成浮栅层，所述浮栅层的高度高于所述氧化物的高度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在有源层表面形成两个隔离凹槽和至少一个阻挡凹槽，包括：

在有源层上依次形成衬垫氧化层和硬掩膜层；

依次刻蚀所述硬掩膜层、所述衬垫氧化层和所述有源层，在所述有源层表面形成两个所述隔离凹槽和至少一个所述阻挡凹槽。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在有源层上依次形成衬垫氧化层和硬掩膜层，包括：

采用热生长工艺在所述有源层上形成衬垫氧化层；

采用气相沉积工艺在所述衬垫氧化层上形成硬掩膜层。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述衬垫氧化层为二氧化硅层。

5.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜层为氮化硅层。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述依次刻蚀所述硬掩膜层、所述衬垫氧化层和所述有源层，包括：

采用干法刻蚀工艺依次刻蚀所述硬掩膜层、所述衬垫氧化层和所述有源层。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述两个隔离凹槽和至少一个阻挡凹槽之外的有源层表面上形成隧穿氧化层，并在所述隧穿氧化层和所述氧化物上形成浮栅层，包括：

去除剩余的硬掩膜层和剩余的衬垫氧化层，使所述剩余的衬垫氧化层下方的有源层显现出；

在显现出的有源层上形成隧穿氧化层；

在所述隧穿氧化层和所述氧化物上形成浮栅层。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，全部所述阻挡凹槽平行分布。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，至少一个所述阻挡凹槽由多个子阻挡凹槽构成。

10.一种多层电容，其特征在于，包括：

有源层；

隔离凹槽和阻挡凹槽，位于所述有源层中；

其中，所述隔离凹槽的个数为两个，所述阻挡凹槽的个数为至少一个，所述阻挡凹槽位于两个所述隔离凹槽之间，所述两个隔离凹槽和全部所述阻挡凹槽中填充有氧化物且所述氧化物高于所述有源层的表面，所述阻挡凹槽中填充的氧化物用于阻挡对浮栅的过度研磨；

隧穿氧化层，位于所述两个隔离凹槽和至少一个阻挡凹槽之外的有源层和所述氧化物上；

浮栅层，位于所述隧穿氧化层上。