[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。该半导体装置包括：半导体衬底；突出于半导体衬底的一个或多个鳍片，其中每个鳍片的侧边形成有沟槽；部分地填充沟槽的第一绝缘物层，其中鳍片突出于第一绝缘物层；覆盖在鳍片上的第二绝缘物层；用于鳍片的多个伪栅极结构，该多个伪栅极结构至少包括在第一绝缘物层上的第一伪栅极结构和在第二绝缘物层上的第二伪栅极结构，第一伪栅极结构与第二伪栅极结构间隔开，第一伪栅极结构邻接鳍片的侧边缘上的第二绝缘物层的部分；在多个伪栅极结构的侧面上的间隔物；在鳍片上位于多个伪栅极结构之间的源极或漏极。本发明可以提高不同鳍片有源区之间的绝缘性。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括：半导体衬底；突出于所述半导体衬底的一个或多个鳍片，其中每个鳍片的侧边形成有沟槽；部分地填充所述沟槽的第一绝缘物层，其中所述鳍片突出于所述第一绝缘物层；以及覆盖在所述鳍片上的第二绝缘物层；形成用于所述鳍片的多个伪栅极结构，所述多个伪栅极结构至少包括在所述第一绝缘物层上的第一伪栅极结构和在所述第二绝缘物层上的第二伪栅极结构，所述第一伪栅极结构与所述第二伪栅极结构间隔开，所述第一伪栅极结构邻接所述鳍片的侧边缘上的所述第二绝缘物层的部分；在所述多个伪栅极结构的侧面上形成间隔物；蚀刻未被所述间隔物和所述伪栅极结构覆盖的所述第二绝缘物层和所述鳍片的一部分以形成凹陷；以及在所述凹陷中形成源极或漏极。