[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体结构，所述半导体结构包括：半导体衬底；突出于所述半导体衬底的一个或多个鳍片，其中每个鳍片的侧边形成有沟槽；部分地填充所述沟槽的第一绝缘物层，其中所述鳍片突出于所述第一绝缘物层；以及覆盖在所述鳍片上的第二绝缘物层；

形成用于所述鳍片的多个伪栅极结构，所述多个伪栅极结构至少包括在所述第一绝缘物层上的第一伪栅极结构和在所述第二绝缘物层上的第二伪栅极结构，所述第一伪栅极结构与所述第二伪栅极结构间隔开，所述第一伪栅极结构邻接所述鳍片的侧边缘上的所述第二绝缘物层的部分；

在所述多个伪栅极结构的侧面上形成间隔物；

蚀刻未被所述间隔物和所述伪栅极结构覆盖的所述第二绝缘物层和所述鳍片的一部分以形成凹陷；以及

在所述凹陷中形成源极或漏极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述沟槽的宽度与所述鳍片的纵向长度的比值的范围为0.5至0.7。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，

所述沟槽的宽度为80nm至130nm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述多个伪栅极结构的步骤中，

所述多个伪栅极结构还包括与所述第二伪栅极结构间隔开的第三伪栅极结构，所述第一伪栅极结构与所述第三伪栅极结构分别位于所述第二伪栅极结构的两侧；

其中，所述第三伪栅极结构位于所述鳍片的端部之上的所述第二绝缘物层的部分上；或者

所述第三伪栅极结构位于所述第一绝缘物层上，并且邻接所述鳍片的侧边缘上的所述第二绝缘物层的部分。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，

所述形成凹陷的步骤包括：

所述蚀刻在所述鳍片中形成位于所述第一伪栅极结构与所述第二伪栅极结构之间的第一凹陷以及位于所述第二伪栅极结构与所述第三伪栅极结构之间的第二凹陷；

在所述凹陷中形成源极或漏极的步骤包括：

在所述第一凹陷中形成源极以及在所述第二凹陷中形成漏极。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述伪栅极结构包括：位于所述第一绝缘物层上或者所述第二绝缘物层上的伪栅极，以及位于所述伪栅极上的硬掩模层。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，

所述多个鳍片包括被沟槽间隔开的第一鳍片和第二鳍片；

在形成所述多个伪栅极结构的步骤中，所述第一伪栅极结构、所述第二伪栅极结构和所述第三伪栅极结构用于所述第一鳍片；

所述多个伪栅极结构还包括用于所述第二鳍片的第四伪栅极结构、第五伪栅极结构和第六伪栅极结构，其中，所述第四伪栅极结构和所述第六伪栅极结构位于所述第五伪栅极结构的两侧。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，

所述第一伪栅极结构位于所述第一鳍片和所述第二鳍片之间的沟槽中的第一绝缘物层上，并且邻接所述第一鳍片的侧边缘上的第二绝缘物层的部分；

所述第四伪栅极结构位于所述第一鳍片和所述第二鳍片之间的沟槽中的第一绝缘物层上，并且邻接所述第二鳍片的侧边缘上的第二绝缘物层的部分；

所述第一伪栅极结构和所述第四伪栅极结构间隔开。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，

所述第一伪栅极结构位于所述第一鳍片和所述第二鳍片之间的沟槽中的第一绝缘物层上，并且邻接所述第一鳍片的侧边缘上的第二绝缘物层的部分；

所述第四伪栅极结构位于所述第二鳍片的端部之上的所述第二绝缘物层的部分上；

所述第一伪栅极结构和所述第四伪栅极结构间隔开。