[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201610920078.4 | 申请日： | 2016-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN107978525B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华;王彦;蒋鑫 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底，所述衬底上具有鳍部；在鳍部内形成初始沟槽，初始沟槽在垂直于所述鳍部的延伸方向上贯穿所述鳍部；在初始沟槽内形成隔离层以及位于隔离层上的隔离沟槽，所述隔离层的顶部表面低于所述鳍部的顶部表面，且高于所述隔离层顶部的部分初始沟槽形成隔离沟槽；对所述隔离沟槽的鳍部侧壁进行扩大处理，使所述隔离沟槽在沿鳍部的延伸方向上尺寸增大；在所述扩大处理之后，在所述隔离层上形成替代栅极结构。隔离沟槽的侧壁与鳍部顶部垂直，防止替代栅极结构底部与隔离沟槽侧壁接触，从而有效避免相邻源漏掺杂区之间因发生桥接而漏电，所述形成方法能够改善所形成的半导体结构性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上具有鳍部；在所述鳍部内形成初始沟槽，所述初始沟槽在垂直于所述鳍部的延伸方向上贯穿所述鳍部；在所述初始沟槽内形成隔离层以及位于隔离层上的初始隔离沟槽，所述隔离层的顶部表面低于所述鳍部的顶部表面，且高于所述隔离层顶部的部分初始沟槽形成隔离沟槽；对所述初始隔离沟槽的鳍部侧壁进行扩大处理，使所述初始隔离沟槽在沿鳍部的延伸方向上尺寸增大；在所述扩大处理之后，在所述隔离层上形成替代栅极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
