[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上具有鳍部；

在所述鳍部内形成初始沟槽，所述初始沟槽在垂直于所述鳍部的延伸方向上贯穿所述鳍部；

在所述初始沟槽内形成隔离层以及位于隔离层上的初始隔离沟槽，所述隔离层的顶部表面低于所述鳍部的顶部表面，且高于所述隔离层顶部的部分初始沟槽形成初始隔离沟槽；

对所述初始隔离沟槽的鳍部侧壁进行扩大处理，使所述初始隔离沟槽在沿鳍部的延伸方向上尺寸增大，形成隔离沟槽，所述隔离沟槽侧壁与所述鳍部顶部垂直；

在所述扩大处理之后，在所述隔离层上形成替代栅极结构，所述替代栅极结构的底部与隔离沟槽的侧壁不接触；

所述扩大处理的步骤包括：在鳍部上形成掩膜结构，掩膜结构包括位于隔离层上的掩膜开口，掩膜开口在垂直于所述鳍部的延伸方向上贯穿所述鳍部；以所述掩膜结构为掩膜，刻蚀所述鳍部。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜结构包括：位于鳍部和隔离层上的抗反射层、以及位于抗反射层上的光刻胶层，所述光刻胶层内具有暴露出所述抗反射层的所述掩膜开口。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜结构包括：位于鳍部和隔离层上的旋涂有机材料层、位于旋涂有机材料层上的抗反射层、以及位于抗反射层上的光刻胶层，所述光刻胶层内具有暴露出所述抗反射层的所述掩膜开口。

4.如权利要求2或3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述抗反射层材料包括：有机绝缘材料或无机绝缘材料。

5.如权利要求2或3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述抗反射层包括：含硅的抗反射层或含氧化硅的抗反射层。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述含氧化硅的抗反射层的形成工艺为气相沉积工艺；所述气相沉积工艺的参数包括：温度低于200摄氏度。

7.如权利要求2或3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述抗反射层的厚度为100埃～500埃。

8.如权利要求2或3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述光刻胶层厚度为：1000埃～3000埃。

9.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述旋涂有机材料层的厚度为：500埃～2000埃。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始沟槽的形成步骤包括：在鳍部上形成初级掩膜层，所述初级掩膜层暴露出部分鳍部；以所述初级掩膜层为掩膜，刻蚀所述鳍部，在所述鳍部内形成所述初始沟槽。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述初始沟槽内形成隔离层的步骤包括：在初始沟槽内和所述鳍部顶部形成初始隔离材料层，所述初始隔离材料层填充满所述初始沟槽；对所述初始隔离材料层进行平坦化工艺，直至暴露出鳍部顶部为止；在平坦化工艺之后，对所述初始隔离材料层进行刻蚀，去除部分初始隔离材料，形成所述隔离层和所述初始隔离沟槽。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述鳍部内形成初始沟槽前，还包括：在所述衬底上形成隔离结构，所述隔离结构的顶部低于所述鳍部的顶部，且所述隔离结构覆盖鳍部的部分侧壁。

13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述隔离结构的工艺包括：流体化学气相沉积工艺。

14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述扩大处理之后，在所述鳍部上形成伪栅极结构，所述伪栅极结构横跨所述鳍部且覆盖部分鳍部的顶部和侧壁表面。