[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201610914575.3 | 申请日： | 2016-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN107026201B | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 陈芳;廖忠志;梁铭彰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体装置及其制造方法。一种半导体装置，包括鳍式场效晶体管。上述半导体装置包括第一栅极电极；第一源极/漏极区域，邻近第一栅极电极设置；第一源极/漏极接触，设于第一源极/漏极区域上；第一间隔物层，设于第一栅极电极及第一源极/漏极区域之间；第一接触层，接触第一栅极电极及第一源极/漏极接触；第一线路层，与第一接触层一体地形成。在剖面图中第一接触层及第一线路层之间没有界面，且在俯视图中第一接触层具有小于第一线路层的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括一鳍式场效晶体管，该半导体装置包括:一第一栅极电极；一第一源极/漏极区域，邻近该第一栅极电极设置；一第一源极/漏极接触，设于该第一源极/漏极区域上；一第一间隔物层，设于该第一栅极电极及该第一源极/漏极区域之间；一第一接触层，接触该第一栅极电极及该第一源极/漏极接触；一第一线路层，与该第一接触层一体地形成；其中，在一剖面图中该第一接触层及该第一线路层之间没有界面，且在俯视图中该第一接触层具有一小于该第一线路层的面积。
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