[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括一鳍式场效晶体管，该半导体装置包括:

一第一栅极电极，设于多个由绝缘材料形成的栅极侧壁间隔物之间；

一第一源极/漏极区域，邻近该第一栅极电极设置；

一第一源极/漏极接触，设于该第一源极/漏极区域上；

一由绝缘材料形成的第一间隔物层，设于多个所述栅极侧壁间隔物的一者及该第一源极/漏极接触之间，且接触该第一源极/漏极接触的一侧壁的一下部；

一第一接触层，接触该第一栅极电极及该第一源极/漏极接触的该侧壁的一上部；

一第一线路层，与该第一接触层一体地形成；

其中，在一剖面图中该第一接触层及该第一线路层之间没有界面，且在俯视图中该第一接触层具有一小于该第一线路层的面积。

2.如权利要求1所述的半导体装置，还包括:

一第一栅极绝缘盖层，形成于该栅极电极之上；其中该第一接触层的一侧表面接触该第一栅极绝缘盖层。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一接触层的一下表面接触该第一间隔物层的一上表面以及多个所述栅极侧壁间隔物的该者的一上表面。

4.如权利要求2所述的半导体装置，还包括:

一第一层间介电层，至少设于该第一栅极绝缘盖层之上；其中该第一线路层内埋于该第一层间介电层的一上部中，且该第一接触层穿过该第一层间介电层的一下部及该第一栅极绝缘盖层。

5.如权利要求4所述的半导体装置，还包括:

一第二栅极电极；

一栅极接触插塞，设于该第二栅极电极之上；

一第二接触层，接触该栅极接触插塞；以及

一第二线路层，与该第二接触层一体地形成；

其中，在一剖面图中该第二接触层及该第二线路层之间没有界面，该第二线路层内埋于该第一层间介电层的该上部中，且该第二接触层穿过该第一层间介电层的该下部及一第二栅极绝缘盖层。

6.如权利要求5所述的半导体装置，还包括:

一第二源极/漏极区域；

一第二源极/漏极接触，设于该第二源极/漏极区域上；

一第三接触层，接触该第二源极/漏极接触；以及

一第三线路层，与该第三接触层一体地形成；

其中，在一剖面图中该第三接触层及该第三线路层之间没有界面，该第三线路层内埋于该第一层间介电层的该上部中，且该第三接触层穿过该第一层间介电层的该下部。

7.如权利要求6所述的半导体装置，还包括:

一鳍结构；

其中，该第一接触层及该第三接触层在俯视图中设于该鳍结构之上，而该第二接触层在俯视图中则不设于该鳍结构之上。

8.如权利要求6所述的半导体装置，其中该第一源极/漏极接触、该第二源极/漏极接触及该栅极接触插塞的上表面位于一实质上相同的平面上。

9.一种半导体装置，包括鳍式场效晶体管，该半导体装置包括:

一第一栅极电极，设于多个由绝缘材料形成的栅极侧壁间隔物之间；

一第一栅极接触层，设于该第一栅极电极之上；

一第一源极/漏极区域，邻近该第一栅极电极设置；

一第一源极/漏极接触，设于该第一源极/漏极区域上；

一由绝缘材料形成的第一间隔物层，设于多个所述栅极侧壁间隔物的一者及该第一源极/漏极接触之间；

一第一接触层，接触该第一栅极接触层及该第一源极/漏极接触，且该第一接触层的最底面接触该第一间隔物层的最顶面；以及

一第一线路层，与该第一接触层一体地形成；

其中，在一剖面图中该第一接触层及该第一线路层之间没有界面，且在俯视图中该第一接触层具有小于该第一线路层的面积。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其中该第一接触层的一下表面接触该第一间隔物层的一上表面以及所述栅极侧壁间隔物的该者的一上表面。