[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本公开提供一种半导体装置及其制造方法。一种半导体装置，包括鳍式场效晶体管。上述半导体装置包括第一栅极电极；第一源极/漏极区域，邻近第一栅极电极设置；第一源极/漏极接触，设于第一源极/漏极区域上；第一间隔物层，设于第一栅极电极及第一源极/漏极区域之间；第一接触层，接触第一栅极电极及第一源极/漏极接触；第一线路层，与第一接触层一体地形成。在剖面图中第一接触层及第一线路层之间没有界面，且在俯视图中第一接触层具有小于第一线路层的面积。

技术领域

本公开涉及一种半导体装置的制造方法，且特别涉及一种导电层位于栅极及源极/漏极区域上的结构及其制造方法。

背景技术

随着半导体工业引入高效能与高功能性的新世代集成电路(ICs)，业界已经开始在电子装置(如:晶体管)之上设置多层金属线结构(multi-layer wiring structure)。为了满足高速度及高可靠度的需求，须发展先进的金属线结构及其形成方法。

发明内容

本公开包括一种半导体装置，包括鳍式场效晶体管。上述半导体装置包括:第一栅极电极；第一源极/漏极区域，邻近第一栅极电极设置；第一源极/漏极接触，设于第一源极/漏极区域上；第一间隔物层，设于第一栅极电极及第一源极/漏极区域之间；第一接触层，接触第一栅极电极及第一源极/漏极接触；第一线路层，与第一接触层一体地形成；其中，在剖面图中第一接触层及第一线路层之间没有界面，且在俯视图中第一接触层具有小于第一线路层的面积。

在本公开的半导体装置的一个实施方式中，该半导体装置还包括：一第一栅极绝缘盖层，形成于该栅极电极之上；其中该第一接触层的一侧表面接触该第一栅极绝缘盖层。

在本公开的半导体装置的另一个实施方式中，该半导体装置还包括：一第一源极/漏极绝缘层，形成于该源极/漏极区域之上；其中该第一接触层的一下表面接触该第一源极/漏极绝缘层。

在本公开的半导体装置的另一个实施方式中，该半导体装置还包括：一第一层间介电层，至少设于该第一绝缘盖层之上；其中该第一线路层内埋于该第一层间介电层的一上部中，且该第一接触层穿过该第一层间介电层的一下部及该第一栅极绝缘盖层。

在本公开的半导体装置的另一个实施方式中，该半导体装置还包括：一第二栅极电极；一栅极接触插塞，设于该第二栅极电极之上；一第二接触层，接触该栅极接触插塞；以及一第二线路层，与该第二接触层一体地形成；其中，在一剖面图中该第二接触层及该第二线路层之间没有界面，该第二线路层内埋于该第一层间介电层的该上部中，且该第二接触层穿过该第一层间介电层的该下部及该第二栅极绝缘盖层。

在本公开的半导体装置的另一个实施方式中，该半导体装置还包括：一第二源极/漏极区域；一第二源极/漏极接触，设于该第二源极/漏极区域上；一第三接触层，接触该第二源极/漏极接触；以及一第三线路层，与该第三接触层一体地形成；其中，在一剖面图中该第三接触层及该第三线路层之间没有界面，该第三线路层内埋于该第一层间介电层的该上部中，且该第三接触层穿过该第一层间介电层的该下部。

在本公开的半导体装置的另一个实施方式中，该半导体装置还包括：一鳍结构；其中，该第一接触层及该第三接触层在俯视图中设于该鳍结构之上，而该第二接触层在俯视图中则不设于该鳍结构之上。

在本公开的半导体装置的另一个实施方式中，该第一源极/漏极接触、该第二源极/漏极接触及该栅极接触插塞的上表面位于一实质上相同的平面上。

本公开亦包括一种半导体装置，包括鳍式场效晶体管。上述半导体装置包括:第一栅极电极；第一栅极接触层，设于第一栅极电极之上；第一源极/漏极区域，邻近第一栅极电极设置；第一源极/漏极接触，设于第一源极/漏极区域上；第一间隔物层，设于第一栅极电极及第一源极/漏极区域之间；第一接触层，接触第一栅极接触及第一源极/漏极接触；以及第一线路层，与第一接触层一体地形成；其中，在剖面图中第一接触层及第一线路层之间没有界面，且在俯视图中第一接触层具有小于第一线路层的面积。