[发明专利]利用非热溶液用于远紫外掩模清洗的方法和系统有效
申请号: | 201610912772.1 | 申请日: | 2016-10-20 |
公开(公告)号: | CN107024831B | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 沈经纬;吕启纶;林冠文 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/82 | 分类号: | G03F1/82;G03F1/84;G03F1/72 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明实施例提供了一种修复掩模的方法。该方法包括检查掩模以识别掩模上的缺陷;对掩模使用非热化学溶液来对掩模实施清洗工艺;以及修复掩模以从掩模去除缺陷。通过冷却模块冷却非热化学溶液至室温以下的工作温度。本发明实施例涉及利用非热溶液用于远紫外掩模清洗的方法和系统。 | ||
搜索关键词: | 利用 溶液 用于 紫外 清洗 方法 系统 | ||
【主权项】:
一种修复掩模的方法,所述方法包括:检查掩模以识别所述掩模上的缺陷;对所述掩模使用非热化学溶液来对所述掩模实施清洗工艺,其中,通过冷却模块将所述非热化学溶液冷却至室温以下的工作温度;以及修复所述掩模以从所述掩模去除所述缺陷。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
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G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
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