[发明专利]利用非热溶液用于远紫外掩模清洗的方法和系统

说明书

本发明实施例提供了一种修复掩模的方法。该方法包括检查掩模以识别掩模上的缺陷；对掩模使用非热化学溶液来对掩模实施清洗工艺；以及修复掩模以从掩模去除缺陷。通过冷却模块冷却非热化学溶液至室温以下的工作温度。本发明实施例涉及利用非热溶液用于远紫外掩模清洗的方法和系统。

技术领域

本发明实施例涉及利用非热溶液用于远紫外掩模清洗的方法和系统。

背景技术

半导体集成电路(IC)工业经历了快速增长。IC材料和设计的技术进步产生了多代IC，其中，每一代都具有比先前一代更小且更复杂的电路。在IC演进的过程中，功能密度(即，每一芯片面积上互连器件的数量)已普遍增加，而几何尺寸(即，使用制造工艺可产生的最小组件或线)有所降低。这种规模缩小工艺通常通过增加产量效率和降低相关成本来提供很多益处。这种按比例缩小工艺还增加了处理和制造IC的复杂性并且，为了实现这些进步，需要IC处理和制造方面的相似进步。在与光刻图案化有关的一个实例中，用于光刻工艺的光掩模(或掩模)具有在其上限定的电路图案且将被转移至晶圆。由于在改进的技术节点中，光刻图案化对较小的部件尺寸的掩模缺陷更敏感，在掩模上的图案需要更精确。因此，修复掩模以消除缺陷。然而，现有的方法和系统效果不大且可以引入额外的缺陷至光掩模。需要的是用于制造光掩模以解决上述问题的系统和方法。

发明内容

根据本发明的一个实施例，提供了一种修复掩模的方法，所述方法包括：检查掩模以识别所述掩模上的缺陷；对所述掩模使用非热化学溶液来对所述掩模实施清洗工艺，其中，通过冷却模块将所述非热化学溶液冷却至室温以下的工作温度；以及修复所述掩模以从所述掩模去除所述缺陷。

根据本发明的另一实施例，还提供了一种制造掩模的方法，所述方法包括：混合硫酸和过氧化氢以形成硫酸-过氧化氢混合物；冷却所述硫酸-过氧化氢混合物以形成非热的硫酸-过氧化氢混合物；以及对所述掩模应用所述非热的硫酸-过氧化氢混合物，从而清洗所述掩模。

根据本发明的又一实施例，还提供了一种清洗装置，包括：第一路径，连接至硫酸的第一化学供应；第二路径，连接至过氧化氢的第二化学供应；连接机制，混合来自所述第一路径的所述硫酸和来自所述第二路径的所述过氧化氢从而形成硫酸-过氧化氢混合物；冷却模块，配置为将所述硫酸-过氧化氢混合物冷却为非热的硫酸-过氧化氢混合物；以及喷嘴，连接所述连接机制且设计为对掩模应用所述非热的硫酸-过氧化氢混合物。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本发明的实施例。应该强调的是，根据工业中的标准实践，对各种部件没有按比例绘制并且仅仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或缩小。

图1是根据一些实施例的用于修复掩模的方法的流程图。

图2、图3、图4和图5是根据一些实施例构建的在远紫外(EUV)光刻曝光工具中使用的反射掩模的截面图。

图6示出了根据各个实施例构建的与清洗工艺相关联的公式。

图7示出了根据各个实施例构建的与清洗工艺相关联的曲线和数据。

图8是根据一些实施例构建的在EUV光刻曝光工具中使用的反射掩模的截面图。

图9示出了根据一些实施例构建的与清洗工艺相关联的曲线和数据。

图10示出了根据一些实施例构建的清洗装置的示意图。

图11示出了根据一些实施例构建的图10的清洗装置中的冷却单元的截面图。

图12是根据一些实施例构建的在EUV光刻曝光工具中使用的反射掩模的截面图。

图13是根据一些实施例的用于使用图2的掩模的方法的流程图。

图14、图15、图16、图17和图18是根据一些实施例的在各个制造阶段的半导体晶圆的截面图。