[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610908580.3 | 申请日： | 2016-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN107039526B | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 尤志豪;杨世海;王圣祯 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括第一FET和第二FET，该第一FET和第二FET分别包括第一沟道区域和第二沟道区域。第一FET和第二FET分别包括第一栅极结构和第二栅极结构。第一栅极结构和第二栅极结构包括在第一沟道区域和第二沟道区域上方形成的第一栅极介电层和第二栅极介电层以及在第一栅极介电层和第二栅极介电层上方形成的第一栅电极层和第二栅电极层。第一栅极结构和第二栅极结构沿着第一方向对准。第一栅极结构和第二栅极结构通过由绝缘材料制成的分离插塞分离。从平面图观察时，分离插塞在垂直于第一方向的第二方向上的宽度小于第一栅极结构在第二方向上的宽度。本发明实施例涉及具有鳍结构的半导体器件及其制造工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n第一鳍场效应晶体管，包括在第一方向上延伸的第一鳍结构以及包括第一栅极结构，所述第一栅极结构包括在所述第一鳍结构上方形成的第一栅极介电层和在所述第一栅极介电层上方形成的第一栅电极层，且所述第一栅极结构在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸；以及/n第二鳍场效应晶体管，包括在所述第一方向上延伸的第二鳍结构以及包括第二栅极结构，所述第二栅极结构包括在所述第二鳍结构上方形成的第二栅极介电层和在所述第二栅极介电层上方形成的第二栅电极层，且所述第二栅极结构在所述第二方向上延伸；其中：/n所述第一栅极结构和所述第二栅极结构沿着所述第二方向对准，/n所述第一栅极结构和所述第二栅极结构通过由绝缘材料制成的分离插塞分离，所述分离插塞在所述第二方向上与所述第一栅极结构和所述第二栅极结构接触，以及/n当从平面图观察时，所述分离插塞在所述第一方向上的宽度小于所述第一栅极结构在所述第一方向上的宽度。/n
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