[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一鳍场效应晶体管，包括在第一方向上延伸的第一鳍结构以及包括第一栅极结构，所述第一栅极结构包括在所述第一鳍结构上方形成的第一栅极介电层和在所述第一栅极介电层上方形成的第一栅电极层，且所述第一栅极结构在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸；以及

第二鳍场效应晶体管，包括在所述第一方向上延伸的第二鳍结构以及包括第二栅极结构，所述第二栅极结构包括在所述第二鳍结构上方形成的第二栅极介电层和在所述第二栅极介电层上方形成的第二栅电极层，且所述第二栅极结构在所述第二方向上延伸；其中：

所述第一栅极结构和所述第二栅极结构沿着所述第二方向对准，

所述第一栅极结构和所述第二栅极结构通过由绝缘材料制成的分离插塞分离，所述分离插塞在所述第二方向上与所述第一栅极结构和所述第二栅极结构接触，以及

当从平面图观察时，所述分离插塞在所述第一方向上的宽度小于所述第一栅极结构在所述第一方向上的宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，当从平面图观察时，所述分离插塞在所述第一方向上的所述宽度小于所述第一栅电极层在所述第一方向上的宽度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

侧层设置在所述分离插塞的在所述第一方向上的侧面上，以及

形成所述分离插塞的核心部分的材料不同于形成所述侧层的材料。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述分离插塞的所述核心部分由基于氮化硅的材料制成且所述侧层由氧化硅制成。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述分离插塞的在所述第二方向上的侧面分别与所述第一栅极介电层和所述第二栅极介电层接触。

6.根据权利要求3所述的半导体器件，其中：

在所述分离插塞的底部下方提供底层，以及

形成所述底层的材料与形成所述侧层的所述材料相同。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，当从平面图观察时，在侧壁间隔件层和额外的绝缘层之间沿着所述第一方向设置所述第一栅极结构和所述第二栅极结构以及所述分离插塞。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

在隔离绝缘层的上表面上设置所述第一栅极结构和所述第二栅极结构，以及

所述分离插塞的底部位于所述隔离绝缘层的所述上表面下方。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第一栅极结构在所述第二方向上具有第一端和第二端，

所述第一栅极结构的所述第一端与所述分离插塞接触，以及

所述第一栅极结构的所述第二端与不同于所述分离插塞的层间介电层接触。

10.一种半导体器件，包括：

第一鳍场效应晶体管，包括半导体衬底的第一沟道区域以及包括第一栅极结构，所述第一栅极结构包括在所述第一沟道区域上方形成的第一栅极介电层和在所述第一栅极介电层上方形成的第一栅电极层，且所述第一栅极结构在第一方向上延伸；以及

第二鳍场效应晶体管，包括所述半导体衬底的第二沟道区域以及包括第二栅极结构，所述第二栅极结构包括在所述第二沟道区域上方形成的第二栅极介电层和在所述第二栅极介电层上方形成的第二栅电极层，且所述第二栅极结构在所述第一方向上延伸；其中：

所述第一栅极结构和所述第二栅极结构沿着所述第一方向对准，

所述第一栅极结构和所述第二栅极结构通过由绝缘材料制成的分离插塞分离，以及

当从平面图观察时，所述分离插塞在垂直于所述第一方向的第二方向上的宽度小于所述第一栅极结构在所述第二方向上的宽度，所述分离插塞在所述第二方向上与所述第一栅极结构和所述第二栅极结构接触。